[发明专利]OLED器件及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201410240426.4 申请日: 2014-05-30
公开(公告)号: CN104022229A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 吴长晏;廖金龙;闫光 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: oled 器件 及其 制备 方法 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种OLED器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

目前,有机电致发光(例如有机发光二极管,Organic Light-Emitting Diode,OLED)器件量产的主流制备方式为真空热蒸镀方式,即将有机材料在高度真空条件下、以加热升华的方式气化并均匀形成在基板上,从而逐层制备阳极、空穴注入层(hole injection layer,HIL)、空穴传输层(hole transport layer,HTL)、发光层(emission layer,EML)、电子传输层(electron transport layer,ETL)、电子注入层(electron injection layer,EIL)及阴极膜层。这样就需要真空制程及蒸镀遮罩等较为昂贵的固定成本,且制备过程中材料使用率极低。对此,现有技术中提出使用溶液制程(Solution Process)来制备OLED器件,即使用溶液方式在基板上涂覆,从而逐层制备各个膜层,以降低制造成本。但是,使用溶液制程依然存在着许多问题,比如:溶液制程中由于使用了溶剂,当已形成多层膜层之后、再在其上涂覆其他膜层溶剂时,很有可能将已经干燥成型的膜层溶解,从而导致本来该分层的材料混合,形成废品。

因此,现有技术中提出使用溶液制程+真空热蒸镀的方式制备OLED器件,即先使用溶液制程制备几层膜层(比如制备阳极、HIL及HTL),然后再使用真空热蒸镀方式继续制作剩余的膜层(比如EML、ETL、EIL及阴极),这样一定程度上减少了制造成本,并在一定程度上提升了产品效能与良率。

但是,溶液制程制备的膜层(比如HTL)与真空热蒸镀方式制备的膜层(比如EML)之间,由于制程工艺的转换,在异质介面上产生的较多缺陷(比如杂质、气孔等)严重影响了OLED器件的发光效率,大幅度降低了OLED显示面板的使用寿命。

发明内容

本发明的主要目的在于,提供一种OLED器件及其制备方法、显示装置,能够减小或避免不同制程制备的膜层之间的缺陷(如杂质、气孔等),将由工艺转换而导致的不良影响降到最低。

为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:

一方面,本发明实施例提供了一种OLED器件,包括基板,所述基板之上依次设置有多个功能层,其中,

所述多个功能层中的一个功能层为过渡功能层,所述过渡功能层包括材质相同的第一子层和位于所述第一子层之上的第二子层;

所述第一子层采用第一制程制备,所述第二子层采用不同于所述第一制程的第二制程制备。

可选地,所述第一制程为溶液制程;所述第二制程选自真空热蒸镀、有机气相沉积、激光感应热成像、辐射诱发升华转印中的任意一种。

优选地,在所述基板之上依次设置有多个功能层;

所述基板与所述第一子层之间的功能层均采用第一制程制备,所述第二子层之上的功能层均采用第二制程制备。

具体地,在所述基板之上依次设置的所述多个功能层包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。

可选地,所述过渡功能层为所述阳极、所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层、所述电子注入层以及所述阴极中的任一种。

或者,在所述基板之上依次设置的所述多个功能层包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极。

可选地,所述过渡功能层为所述阳极、所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层以及所述阴极中的任一种。

具体地,所述溶液制程选自旋涂法、刮涂法、电喷涂布法、狭缝式涂布法、条状涂布法、浸沾式涂布法、滚筒式涂布法、喷墨印刷法、喷嘴印刷法、凸板印刷法中的任何一种。

另一方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述技术方案提供的任一种所述的OLED器件。

相应地,本发明实施例还提供了一种OLED器件的制备方法,能够制备出本发明实施例提供的任何一种OLED器件,包括:

提供一基板;

在所述基板上依次形成多个功能层,其中,所述多个功能层中的一个功能层为过渡功能层,所述过渡功能层包括材质相同的第一子层和形成在所述第一子层之上的第二子层;

其中,所述过渡功能层的制备过程包括:采用第一制程制备,所述第一子层均采用第一制程,及采用不同于第一制程的第二制程制备所述第二子层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410240426.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top