[发明专利]太阳能电池互连件及其制造方法有效
| 申请号: | 201410239504.9 | 申请日: | 2014-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN104916723B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
| 发明(设计)人: | 蔡家弘 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 互连 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池互连件及其制造方法。
背景技术
本发明涉及光伏太阳能电池的制造。
单片太阳能电池的制造工艺包括:在正面接触件和背面接触件之间将太阳能电池材料与吸收材料分层,并在太阳能电池材料中形成线图案以隔离且连接太阳能电池。形成穿过背面接触材料的第一线图案(P1)。形成穿过吸收材料(在一些实施例中,以及缓冲层)的第二线图案(P2)。形成穿过正面接触材料和吸收件材料(以及缓冲层,如果存在的话)的第三线图案(P3)。然而,P1、P2和P3线的图案化可能损坏太阳能电池层并将杂质引入到太阳能电池层内。
由图案化工艺带来的这种损坏是影响太阳能电池性能的因素。由于对清洁能源需求的不断增长,出现了各种太阳能电池器件、工具和工艺并不断发展以努力改进太阳能电池的性能。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题,根据本发明的一个方面,提供了一种制造太阳能电池的方法,包括:提供子结构,所述子结构包括位于背面接触件上方的吸收件,所述背面接触件中具有P1线;以及穿过所述吸收件划切P2线,包括以下步骤:机械划切;和在所述机械划切之后的激光划切。
在上述方法中,其中,所述提供子结构的步骤包括:提供衬底;在所述衬底上方沉积所述背面接触件;穿过所述背面接触件划切所述P1线;以及在所述背面接触件上方和在所述P1线内沉积所述吸收件。
在上述方法中,其中,所述划切的步骤包括:沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切割沟槽,其中,光源跟随所述划切尖端;以及将来自所述光源的光束聚焦在所述沟槽内的残留物上。
在上述方法中,其中,所述划切的步骤包括:沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切割沟槽,其中,光源跟随所述划切尖端;以及将来自所述光源的光束聚焦在所述沟槽内的残留物上,其中,所述光束覆盖的宽度包括所述划切尖端覆盖的宽度的至少50%。
在上述方法中,其中,所述划切的步骤包括:沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切割沟槽,其中,光源跟随所述划切尖端;以及将来自所述光源的光束聚焦在所述沟槽内的残留物上,其中,所述光束覆盖的宽度包括所述划切尖端覆盖的宽度的约50%至95%。
在上述方法中,其中,所述子结构还包括位于所述背面接触件和所述吸收件之间的界面层;并且所述划切的步骤穿过所述界面层进一步划切所述P2线。
在上述方法中,其中,所述子结构还包括位于所述背面接触件和所述吸收件之间的界面层;并且所述划切的步骤穿过所述界面层进一步划切所述P2线,其中,所述划切的步骤包括:沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切割沟槽,其中,光源跟随所述划切尖端;以及将来自所述光源的光束聚焦在所述沟槽内的所述界面层的一部分上。
在上述方法中,其中,利用集成的划切器实施所述划切的步骤,所述集成的划切器包括:划切尖端;以及光源,邻近所述划切尖端安装,并且与所述划切尖端可同时地操作。
在上述方法中,其中,所述划切的步骤还包括从所述P2线收集粒子。
在上述方法中,其中,所述划切的步骤还包括从所述P2线收集粒子,其中,所述划切的步骤包括:沿着所述子结构的区域移动划切尖端以切割沟槽,其中,光源跟随所述划切尖端,并且粒子收集器跟随所述光源;将来自所述光源的光束聚焦在所述沟槽内的残留物上;以及利用所述粒子收集器从所述沟槽去除粒子。
根据本发明的又一方面,还提供了一种太阳能电池,包括:衬底;背面接触件,位于所述衬底上方,并且所述背面接触件中具有P1线;吸收件,位于所述背面接触件上方;界面层,位于所述背面接触件和所述吸收件之间;以及P2线,延伸穿过所述吸收件并穿过所述界面层。
在上述太阳能电池中,还包括位于所述吸收件上方的正面接触件,其中,所述正面接触件与位于所述P2线中的所述背面接触件直接连接。
在上述太阳能电池中,其中,所述界面层包括Mo(SeS)x。
在上述太阳能电池中,还包括:位于所述吸收件上方的缓冲层,并且所述P2线延伸穿过所述缓冲层。
根据本发明的又一方面,还提供了一种集成的划切器,包括:可移动的基底;划切尖端,安装在所述基底上;以及光源,邻近所述划切尖端安装在所述基底上,并且所述光源具有光发射端;其中,所述光源和所述划切尖端可同时地操作。
在上述集成的划切器中,其中,所述光源的所述光发射端与所述划切尖端朝向相同的方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





