[发明专利]用于平坦凹进或去除可变高度层的BARC辅助工艺

权利要求书

1.一种制造集成电路器件的方法，包括：

通过一系列操作处理半导体衬底以形成形貌可变表面，所述形貌可变表面包括位于所述表面上的材料的层，其中，所述层在所述衬底上的高度变化；

在所述表面上方旋涂聚合物底部抗反射涂层(BARC)；

通过烘烤在所述底部抗反射涂层中引发交联；

化学机械抛光以去除所述底部抗反射涂层的第一部分；以及

蚀刻以实现所述底部抗反射涂层与所述材料的层的自上而下凹进。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，实现所述底部抗反射涂层的自上而下凹进的所述蚀刻是在所述底部抗反射涂层和所述材料之间具有低选择性并实现所述材料的层的自上而下凹进的蚀刻。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学机械抛光停止在所述材料的层上。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻使所述底部抗反射涂层和所述材料的层凹进所述表面上的介电层内。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述旋涂、所述化学机械抛光、和具有低选择性的所述蚀刻发生在替换栅极工艺内并形成所述替换栅极工艺的部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述材料的层是硬掩模的层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述材料的层是形成金属栅电极的部分的功函数金属。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在一个或多个finFET鳍上方形成所述金属栅电极。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学机械抛光包括用包含磨料粒子的料浆进行的抛光，所述磨料粒子包括选自由SiO₂、Al₂O₃和CeO₂组成的组中的材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述化学机械抛光工艺期间，所述磨料粒子与底部抗反射涂层材料形成化学键。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述磨料粒子接合至所述底部抗反射涂层材料的羟基基团。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在实现所述底部抗反射涂层的自上而下凹进的所述蚀刻之后，实施在所述材料和所述底部抗反射涂层之间具有高选择性的蚀刻以使所述材料的层凹进。

13.一种制造集成电路器件的方法，包括：

在半导体衬底上方形成伪栅极堆叠件；

在所述伪栅极堆叠件上方形成硬掩模；

使用所述硬掩模图案化所述伪栅极堆叠件以形成伪栅极；

形成邻近所述伪栅极的间隔件；

形成与所述间隔件对准的源极和漏极；

在所述伪栅极上方形成聚合物底部抗反射涂层(BARC)，其中，所述底部抗反射涂层填充所述伪栅极之间的间隙；

烘烤所述底部抗反射涂层；

化学机械抛光以形成包括所述底部抗反射涂层的平坦上表面；

等离子体蚀刻化学机械抛光的表面，其中，所述等离子体蚀刻使所述底部抗反射涂层凹进至所述伪栅极的高度；以及

在去除所述底部抗反射涂层之前去除所述硬掩模。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述化学机械抛光停止在所述硬掩模上。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述化学机械抛光的表面的所述等离子体蚀刻去除了所述硬掩模。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述化学机械抛光的表面的所述等离子体蚀刻在所述底部抗反射涂层和所述硬掩模之间具有低选择性。