[发明专利]一种用于皮肤衰老修复的间充质干细胞的条件培养基制剂有效
| 申请号: | 201410238533.3 | 申请日: | 2014-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN104013644B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 海泉;陈静娴;胡忠国;赵令卉;高雪华;王翔;王小燕;赵峻 | 申请(专利权)人: | 成都清科生物科技有限公司 |
| 主分类号: | A61K35/28 | 分类号: | A61K35/28;A61K38/18;A61P17/18;A61P17/00;A61K38/06;A61K31/728;A61K31/7048;C12N5/0775 |
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| 地址: | 610017 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 皮肤 衰老 修复 间充质 干细胞 条件 培养基 制剂 | ||
1.一种用于皮肤衰老修复的间充质干细胞的条件培养基制剂,其制备方法包括以下步骤:
A、选取具有活性的间充质干细胞,在常规条件下培养间充质干细胞至其生长密度为60%~80%,然后进行换液处理,使用PBS溶液清洗;
B、在清洗后的间充质干细胞中加入无酚红的DMEM培养基和培养基总体积0.1umol/L~1umol/L的黄芪甲苷,在培养箱中继续诱导培养20h~28h,培养完毕后将间充质干细胞的培养基使用高效滤网过滤,去除分子量3000以下的细胞因子;
C、经过高效滤网后的培养基溶液形成浓缩液,并对培养基浓缩液中的细胞因子进行检测,检测细胞因子VEGF、IGF-1、HGF、EGF和FGF的含量;
D、在浓缩后的培养基溶液中加入0.01mg/ml~0.6mg/ml的还原型谷胱甘肽和0.01%~0.4%的透明质酸;
所述步骤A中的常规条件为,使用的培养基为DMEM培养基,其培养温度为35℃~39℃,培养体系含有4%~6%的二氧化碳;所述步骤B中的低氧诱导培养条件为,0.1umol/L~1umol/L的黄芪甲苷,培养温度为35℃~39℃,培养体系含有4%~6%的二氧化碳。
2.权利要求1所述的间充质干细胞条件培养制剂在制备皮肤修复药物中的应用。
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