[发明专利]一种MOCVD半导体处理装置及制作方法

权利要求书

1.一种MOCVD半导体处理装置，包括处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述等离子体用于进行原位化学清洁，所述处理腔室内具有多个处理部件，其特征在于，还包括：

抗刻蚀层，覆盖于所述处理腔室和/或处理部件的暴露于等离子体的表面，所述抗刻蚀层用于在进行原位化学清洁时抵抗等离子体的刻蚀和保护所述处理腔室和/或处理部件，所述抗刻蚀层的材质为陶瓷材质，所述陶瓷材质为Y₂O₃、Al₂O₃、YAG、YF₃、Er₂O₃、Gd₂O₃、RhO₂、Ir₂O₃、AlN、SiC、Si₃N₄中的一种或者其中的组合。

2.如权利要求1所述的MOCVD半导体处理装置，其特征在于，所述处理腔室和/或所述处理部件的材质与所述抗刻蚀层的材质相同或者不相同。

3.如权利要求1所述的MOCVD半导体处理装置，其特征在于，所述处理腔室和/或所述处理部件的材质为不锈钢材料。

4.一种MOCVD半导体处理装置的制作方法，包括：

提供处理腔室或处理部件，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，所述处理腔室还用于容纳等离子体和所述处理部件；所述等离子体用于对所述处理腔室和所述处理部件进行原位化学清洁，其特征在于，还包括：

在所述处理腔室和/或所述处理部件的暴露于等离子体的表面形成抗刻蚀层，所述抗刻蚀层用于在原位化学清洁时抵抗等离子体刻蚀和保护所述处理腔室和/或处理部件，所述抗刻蚀层的材质为陶瓷材质，所述陶瓷材质为Y₂O₃、Al₂O₃、YAG、YF₃、Er₂O₃、Gd₂O₃、RuO₂、Ir₂O₃、AlN、SiC、Si₃N₄中的一种或者其中的组合。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述处理腔室和/或所述处理部件的材质与所述抗刻蚀层的材质相同或者不相同。

6.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述抗刻蚀层使用一段时间后，利用化学机械研磨、清洗、刻蚀或者机械的方法将抗刻蚀层去除，重新在所述处理腔室和/或所述处理部件的表面形成新的抗刻蚀层。

7.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述抗刻蚀层的制作方法为等离子体喷涂工艺、化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、化学溶胶凝胶工艺、化学湿法涂层工艺或者其中的组合。

8.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述处理腔室和/或所述处理部件的材质为不锈钢材料。