[发明专利]一种超薄柔性晶体硅电池的制备方法有效
申请号: | 201410237995.3 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN104022183A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 姬常晓;刘文峰;杨晓生;成文;陆运章 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超薄 柔性 晶体 电池 制备 方法 | ||
1.一种超薄柔性晶体硅电池的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
(1)将电阻率为3~5Ω﹒cm单晶硅片切割成厚度90~120μm的125×125 mm2或156×156mm2硅片;所述单晶硅片为P型CFZ、MCZ或FZ之一的单晶硅片;
(2)对切割后的硅片清洗并制绒,并经两步高温扩散法在硅片上制备方阻在65~80Ω/□的PN结;所述两步高温扩散法的参数为:第一步扩散温度为770~800℃,扩散时间为10~20min,第二步扩散温度为800~850℃,扩散时间为15~25min,退火时间为25min~60min;
(3)去除硅片表面磷硅玻璃并对硅片背面单面抛光;
(4)在抛光的硅片背面采用微波式平板PECVD沉积Al2O3/SiNx叠层钝化膜,所述Al2O3/SiNx叠层钝化膜中Al2O3层与硅片直接接触,所述Al2O3钝化膜厚度为5~20nm,所述SiNx钝化膜厚度为110~180nm;然后采用激光开膜法对钝化膜开膜,采用管式PECVD在硅片前表面镀厚度为70~85nm 的SiNx减反射膜,膜厚为70~85nm;
(5)设计硅片上的条状无主栅电极结构小电池图形:小电池宽度为25~45mm、长度为156mm,边缘焊点数量为6~15个;
(6)根据电极结构小电池图形设计硅片上小电池分布网版图:小电池分布网版图上小电池间距设为1~2mm;将小电池分布网版图覆盖于硅片上后在硅片上依次印刷后电极浆料、铝背场浆料和前电极浆料;印刷后电极浆料烧结后形成后电极;铝背场浆料经烧结形成铝背导电层;前电极浆料经烧结后形成前电极;
(7)根据小电池分布网版图在硅片上切出小电池形状。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(2)中是用清洗液对切割后的硅片清洗,所述清洗液是双氧水溶液和氨水溶液的混合液,混合液中双氧水的质量百分比浓度为5~15%,混合液中氨水的质量百分比浓度为5~15%,混合液温度为25~60℃。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(2)所述PN结结深在0.3~0.6μm,表层峰值浓度在3×1019~2×1020/cm3。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(4)所述Al2O3钝化膜厚度为3~10nm。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(4)中当硅片前表面和背面面镀SiNx后,硅片的有效少子寿命测量值在60us以上。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(5)所述焊点数量和小电池宽度相关,前电极焊点宽度为1.0~2.0mm,焊点长度为1.5~3.5mm;后电极焊点宽度为1.5~2.5毫米、焊点长度为3~5毫米。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(6)在印刷后电极浆料、铝背场浆料和前电极浆料时印刷铝浆的重量为0.376~0.658g。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(7)中切出的小电池,经反向12V电压测试漏电流小于0.05A。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(7)中是采用波长为532nm的绿光在硅片上切割小电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所,未经中国电子科技集团公司第四十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410237995.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的