[发明专利]高精度陶瓷10瓦15dB衰减片

说明书

技术领域

本发明涉及一种陶瓷衰减片,特别涉及一种高精度陶瓷10瓦15dB衰减片。

背景技术

目前集成了多个膜状电阻为一体，通过电阻及线路不同设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平,去耦,对相关设备起到了保护作用。

在国外，特别是欧美国家，对衰减片和负载片研发生产都要比国内起步早很多，无论在产品的丰富性还是产品微波特性上都处于比较优势地位。同时国内市场上现有的衰减片系列少，衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。

发明内容

针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻值满足53.2Ω±3％，在3G频段以内衰减精度为15±0.5dB,驻波要求输入、输出端在1.2以内，能够满足目前3G网络的应用要求的高精度氮化铝陶瓷基板10瓦15dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

1.一种高精度陶瓷10瓦15dB衰减片，其特征在于：包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的陶瓷基板，所述陶瓷基板为氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有对称的银浆线路，所述银浆线路间印刷有膜状电阻，所属银浆线路和膜状电阻通过高温烧结连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆，所述对称的银浆线路和背面印刷的高纯度银浆通过接地银浆导通。

优选的，所述陶瓷基板采用高导热氮化铝陶瓷基板。

优选的，所述导通对称的银浆线路和背面印刷的高纯度银浆的接地银浆为低温银浆。

上述技术方案具有如下有益效果：高精度陶瓷10瓦15dB衰减片体积小,材料成本有效降低；产量高，生产成本有效降低；对称电路设计，频率特性好，电路的稳定性得到提升，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得该型号衰减片能应用于3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

图1为本发明实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。

如图1所示，该高精度陶瓷10瓦15dB衰减片包括一长5.0mm、宽2.5mm、厚度1.0mm的陶瓷基板1，陶瓷基板1的背面印刷有高纯度银浆背导层，氮化铝基板1的正面印刷有对称的银浆线路2及膜状电阻R1、R2、R3，R4、R5，膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过低温银浆与背导层连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿陶瓷基板的中心线对称，膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5上印刷有玻璃保护膜3，对称银浆线路2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色树脂保护膜4，这样可对对称银浆线路2及膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5形成保护。

该高精度陶瓷10瓦15dB衰减片要求输入端和接地的阻值为53.2Ω±3％，输出端和接地端的阻值为53.2Ω±3％。信号输入端进入衰减片，经过膜状电阻R1、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。

该高精度陶瓷10瓦15dB衰减片体积小,材料成本有效降低；产量高，生产成本有效降低；对称电路设计，频率特性好，电路的稳定性得到提升，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得该型号衰减片能应用于3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产，拓展了国内衰减片的应用频段。

以上对本发明实施例所提供的一种高精度陶瓷10瓦15dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。