[发明专利]有机无机混合型晶体管在审
| 申请号： | 201410235775.7 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN104638015A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 徐振航;吴幸怡;叶佳俊;辛哲宏 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;丛芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 无机 混合 晶体管 | ||
1.一种有机无机混合型晶体管，其特征在于，包含：
可挠性基板；
栅极，其配置在上述可挠性基板上；
有机栅极介电层，其覆盖上述栅极以及上述可挠性基板的一部分；
氧化物半导体层，其配置在上述有机栅极介电层上方，其中在垂直上述可挠性基板的一方向上，该氧化物半导体层与上述栅极重叠；
第一保护层，其包含无机材料，该第一保护层夹置在上述氧化物半导体层与上述有机栅极介电层之间，且接触上述氧化物半导体层及上述有机栅极介电层；以及
源极及漏极，其分别连接上述氧化物半导体层的不同两侧。
2.如权利要求1所述的有机无机混合型晶体管，其特征在于，其中所述第一保护层为无机材料所制成，且包含至少一种材料是选自氧化铝、氧化硅、氮化硅及上述的组合所组成的群组。
3.如权利要求2所述的有机无机混合型晶体管，其特征在于，其中所述第一保护层的厚度为100埃至1000埃。
4.如权利要求1所述的有机无机混合型晶体管，其特征在于，其中所述第一保护层包含溶胶凝胶玻璃材料。
5.如权利要求1所述的有机无机混合型晶体管，其特征在于，其中所述第一保护层与所述氧化物半导体层具有相同的轮廓。
6.如权利要求1所述的有机无机混合型晶体管，其特征在于，其中所述第一保护层完全覆盖所述有机栅极介电层。
7.如权利要求1所述的有机无机混合型晶体管，其特征在于，还包含第二保护层，其接触且位于所述源极、所述漏极以及所述氧化物半导体层上，其中第二保护层包含无机材料。
8.如权利要求7所述的有机无机混合型晶体管，其特征在于，还包含有机保护层，其覆盖所述第二保护层。
9.如权利要求7所述的有机无机混合型晶体管，其特征在于，其中所述第二保护层包含至少一种材料是选自氧化铝、氧化硅、氮化硅及上述的组合所组成的群组。
10.如权利要求7所述的有机无机混合型晶体管，其特征在于，其中所述第一保护层及所述第二保护层包含氧化铝，且所述第一保护层及所述第二保护层各自的厚度为100埃至1000埃。
11.一种有机无机混合型晶体管，其特征在于，包含：
可挠性基板；
源极及漏极，其配置在上述可挠性基板上；
第一保护层，其接触且位于上述源极、上述漏极及上述可挠性基板上，其中该第一保护层具有第一开口及第二开口分别露出上述源极的一部分以及上述漏极的一部分；
氧化物半导体层，其配置在上述第一保护层上，且该氧化物半导体层的不同两侧分别连接上述源极的上述露出部分和上述漏极的上述露出部分；
栅极，其配置在上述氧化物半导体层上方；以及
有机栅极介电层，其配置在上述栅极与上述氧化物半导体层之间。
12.如权利要求11所述的有机无机混合型晶体管，还包含第二保护层，其位于所述有机栅极介电层与所述氧化物半导体层之间，且覆盖所述氧化物半导体层。
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