[发明专利]一种纳米级金针复合电极的制备方法

权利要求书

1.一种纳米级金针复合电极的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一，采用金属电化学电子刻蚀方法制备纳米级金属针电极

将直径约为500μm(微米)棒状的钢针金属负高压电极沉浸入电化学电解液中，在控制软件的控制下，以开始速度为0.5mm/s到最后为0.005mm/s的速度，均匀降速的将该钢针金属负高压电极从电化学电解液中拉出，提拉时间为12小时，之后获得直径约为1300～1700μm的针状钢针，

将获得的针状钢针浸入化学抛光液中进行表面化学抛光处理7小时，取出吹干，从而获得经电子刻蚀制备而成表面光滑的纳米级针状电极；

步骤二，纳米级金复合针电极

将步骤一所制得的纳米级针状电极表面为衬底，利用金膜生长技术在针状钢针的针尖端表面制备约100～200μm厚的薄膜，所述针尖端表面占针状钢针外表面的1/5-1/3，获得钢针与金膜复合型负高压纳米级针状电极(3)。

2.如权利要求1所述的一种纳米级金针复合电极的制备方法，其特征在于步骤一中所述电解液为普通水。

3.如权利要求1所述的一种纳米级金针复合电极的制备方法，其特征在于步骤一中所述的化学抛光液为15％HNO₃、10％高氯酸和余量为水H₂O配比。

4.如权利要求1所述的一种纳米级金针复合电极的制备方法，其特征在于步骤二中所述的金膜生长技术包括以下步骤：

将所制得的纳米级针状电极的针尖端向下暴露悬掛于浅射舟约400mm的上方，置入电子浅射真空室中，开启设备抽真空到10^-6～7托(torr)真空度，并将真空室加热器加热至300℃的高温，开启电子束浅射控制开关，将浅射舟中的金材料电子浅射蒸发至悬掛于上方表面暴露的钢针针尖端的电极表面沉积厚度约为100～150μm成膜，在此真空度和300℃的高温条件下，恒温1小时后，逐渐降温冷却到室温。