[发明专利]高频氮化铝陶瓷10瓦11dB衰减片无效
| 申请号： | 201410235150.0 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104241773A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215129 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 氮化 陶瓷 10 11 db 衰减 | ||
【权利要求书】：
1.一种高频氮化铝陶瓷10瓦11dB衰减片，其特征在于：包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及膜状电阻，所述导线连接所述电阻形成典型的π型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的横向中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的横向中心线对称。
2.根据权利要求1所述的高频氮化铝陶瓷10瓦11dB衰减片，其特征在于：所述衰减电路采用π型衰减电路设计。
3.根据权利要求1所述的高频氮化铝陶瓷10瓦11dB衰减片，其特征在于：所述导体层由含有玻璃相的高温银浆印刷而成。
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