[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示装置，包括：

基板；

单元阵列，所述单元阵列包括：在所述基板上彼此交叉以界定多个像素区域的栅极线和数据线、形成在所述栅极线与所述数据线之间的交叉部分处以对应于所述多个像素区域的多个薄膜晶体管、和均匀形成在所述基板之上以覆盖所述薄膜晶体管的保护膜；

多个第一电极，所述多个第一电极形成为使得与各个像素区域的发光区域对应的金属氧化物层部分被形成为导电的，所述金属氧化物层均匀设置在所述保护膜上；

堤部，所述堤部构成所述金属氧化物层中没有形成所述第一电极的其余部分并形成为具有绝缘特性；

形成在所述金属氧化物层之上的发光层；和

形成在所述发光层上从而面对所述第一电极的第二电极，

其中所述多个第一电极和所述堤部构成均匀设置在所述保护膜上的所述金属氧化物层。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述金属氧化物层包括A_xB_yC_zO(x，y，z>0)，其中A，B和C每个都独立地选自Zn，Cd，Ga，In，Sn，Hf和Zr。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述金属氧化物层包括选自In-Ga-Zn氧化物(IGZO)、In-Sn-Zn氧化物(ITZO)和In-Ga氧化物(IGO)中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中每个所述薄膜晶体管包括：

形成在所述基板上以与所述栅极线连接的栅极电极；

形成在覆盖所述栅极电极的栅极绝缘膜上从而与所述栅极电极的至少一部分交迭的有源层；和

形成在所述栅极绝缘膜上从而分别与所述有源层的相对两侧交迭并彼此间隔开的源极电极和漏极电极，

其中所述薄膜晶体管被形成在所述栅极绝缘膜之上的所述保护膜覆盖。

5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中所述源极电极和漏极电极中的任意一个通过穿过所述保护膜的接触孔与所述第一电极连接，所述源极电极和漏极电极中的另一个与所述数据线连接。

6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，进一步包括：

子电极，所述子电极对应于每个像素区域的发光区域，并形成在所述第一电极与所述保护膜之间，以至少覆盖所述接触孔。

7.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：

在基板上布置单元阵列，所述单元阵列包括：彼此交叉以界定多个像素区域的栅极线和数据线、对应于所述多个像素区域的多个薄膜晶体管、和均匀形成并覆盖所述薄膜晶体管的保护膜；

在所述保护膜上均匀形成金属氧化物层；

形成多个第一电极，使得与各个像素区域的发光区域对应的金属氧化物层部分形成为导电的，并且形成构成所述金属氧化物层的其余部分从而具有绝缘特性的堤部；

在所述金属氧化物层之上形成发光层；和

在所述发光层上形成第二电极以面对所述第一电极，

其中所述多个第一电极和所述堤部构成均匀设置在所述保护膜上的所述金属氧化物层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中在形成所述金属氧化物层时，所述金属氧化物层包括A_xB_yC_zO(x，y，z>0)，其中A，B和C每个都独立地选自Zn，Cd，Ga，In，Sn，Hf和Zr，且通过沉积形成所述金属氧化物层，从而所述金属氧化物层具有绝缘特性。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述金属氧化物层包括选自In-Ga-Zn氧化物(IGZO)、In-Sn-Zn氧化物(ITZO)和In-Ga氧化物(IGO)中的任意一种。

10.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述第一电极和形成所述堤部的步骤包括：

在所述金属氧化物层上形成掩模，所述掩模具有与所述各个像素区域的发光区域对应的开口；和

使用所述掩模对所述金属氧化物层选择性地进行等离子处理，从而所述金属氧化物层与所述各个像素区域的发光区域对应的部分通过所述等离子处理形成具有导电特性的所述多个第一电极，而所述金属氧化物层的其余部分形成所述堤部。