[发明专利]像素电路及其驱动方法、有机发光显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种像素电路，包括存储电容、驱动薄膜晶体管以及发光单元，其中，驱动薄膜晶体管源极连接第一电平信号输入端，驱动薄膜晶体管栅极连接存储电容的第二端，驱动薄膜晶体管漏极连接发光单元；

其特征在于，所述像素电路还包括：

用于在充电阶段，控制存储电容第一端的电位为第二电平信号输入端输入信号的电位，第二电平信号输入端输入的信号为低电平信号或输入零电位信号，控制存储电容第二端的电位为第一电平信号输入端输入信号的电位和驱动薄膜晶体管阈值电压之间差值的充电单元；

用于在所述充电阶段之后的补偿跳变阶段，控制存储电容第一端的电位为数据电压，使存储电容第二端电压跳变为数据电压，与所述第一电平信号输入端输入信号的电位和驱动薄膜晶体管阈值电压之间差值的和，以便发光单元在补偿跳变阶段之后的发光阶段，利用所述数据电压进行发光的补偿跳变单元；

用于在充电阶段之前的重置阶段，控制存储电容第二端电位为第二电平信号输入端输入信号的电位的重置单元，重置单元分别与第二电平信号输入端、第三扫描信号输入端以及存储电容第二端连接。

2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述充电单元，分别与与第二电平信号输入端、第一扫描信号输入端、驱动薄膜晶体管的漏极、存储电容的第一端和第二端连接。

3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述充电单元包括：

第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中：

第一薄膜晶体管的源极与所述第二电平信号输入端连接，第一薄膜晶体管的栅极与第一扫描信号输入端连接，第一薄膜晶体管的漏极与存储电容第一端连接；

第二薄膜晶体管的源极与驱动薄膜晶体管的漏极连接，第二薄膜晶体管的栅极与第一扫描信号输入端连接，第二薄膜晶体管的漏极与存储电容第二端连接。

4.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述补偿跳变单元，分别与数据线、第二扫描信号输入端以及存储电容的第一端连接。

5.如权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述补偿跳变单元包括：

第三薄膜晶体管；

第三薄膜晶体管的源极与数据线连接，第三薄膜晶体管的栅极与第二扫描信号输入端连接，第三薄膜晶体管的漏极与存储电容第一端连接。

6.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述重置单元包括：

第四薄膜晶体管；

第四薄膜晶体管的源极与第二电平信号输入端连接，第四薄膜晶体管的栅极与第三扫描信号输入端连接，第四薄膜晶体管的漏极与存储电容第二端连接。

7.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，还包括：

用于在充电阶段将第一电平信号输入端输入的信号传输至驱动薄膜晶体管，以使所述信号经过驱动薄膜晶体管传输至充电单元，以及在发光阶段将第一电平信号输入端输入的信号传输至驱动薄膜晶体管，以使所述信号经过驱动薄膜晶体管传输至发光单元的控制单元；

控制单元分别与第一电平信号输入端、控制信号输入端以及驱动薄膜晶体管连接。

8.如权利要求7所述的像素电路，其特征在于，所述控制单元包括：

第五薄膜晶体管；

第五薄膜晶体管的源极与第一电平信号输入端连接，第五薄膜晶体管的栅极与控制信号输入端连接，第五薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的源极连接。

9.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述发光单元包括：

第六薄膜晶体管以及有机发光二极管；其中：

第六薄膜晶体管的源极分别与驱动薄膜晶体管的漏极连接，第六薄膜晶体管的栅极与第二扫描信号输入端连接，第六薄膜晶体管的漏极与有机发光二极管的阳极连接；

有机发光二极管的阴极与第二电平信号输入端连接。

10.如权利要求2至9任一项所述的像素电路，其特征在于，所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管；

第一电平信号输入端输入的信号为高电平信号。