[发明专利]硅化钨成膜工艺方法

权利要求书

1.一种硅化钨成膜工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一基片，所述基片上形成的膜层包括用作MOS晶体管栅极导电层的多晶硅层，在所述多晶硅层中进行了磷掺杂；

步骤二、进行第一次加热处理以去除所述基片上的水汽；

步骤三、进行第二次加热处理，该第二次加热处理用于对所述多晶硅层表面由磷析出形成的五氧化二磷或偏磷酸杂质进行断键处理；同时，对所述基片表面进行第一次气体吹扫以去除断键处理后的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质；

步骤四、将所述基片放置到硅化钨成膜工艺腔中，将所述硅化钨成膜工艺腔升温到硅化钨成膜工艺温度后对所述基片表面进行第二次气体吹扫，该第二次气体吹扫用于确保残留的所述五氧化二磷或偏磷酸杂质被进一步的去除；之后开始在所述基片上进行硅化钨成膜。

2.如权利要求1所述硅化钨成膜工艺方法，其特征在于：步骤二中的所述第一次加热处理采用低真空气氛，所述低真空气氛的真空范围为3×10^-6托～9×10^-6托，温度为250℃±20℃，处理时间为40秒。

3.如权利要求1所述硅化钨成膜工艺方法，其特征在于：步骤三中的所述第二次加热处理采用高真空气氛，所述高真空气氛的真空范围为5×10^-7托～1×10^-8托，温度为200℃±20℃，处理时间为60秒；所述第一次气体吹扫采用氩气吹扫，气体流量80sccm。

4.如权利要求1所述硅化钨成膜工艺方法，其特征在于：步骤四中的所述硅化钨成膜工艺温度为200℃±20℃；所述第二次气体吹扫采用氩气吹扫，气体流量为80sccm，处理时间为20秒。