[发明专利]半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法。

背景技术

半导体衬底多使用预浸合成纤维(Pre-pregnated composite fibers/Prepreg/P.P.)作为电介质层的材料。由于预浸合成纤维的主要成分是树脂和玻璃纤维，因此在设计上需要相对较厚的电介质层以维持半导体衬底的结构强度，也因此增加衬底的厚度。

发明内容

本发明的一实施例涉及一种半导体衬底。半导体衬底包含第一图案化金属层、第二图案化金属层、第一电介质层、第二电介质层以及载体层。第二图案化金属层位于第一图案化金属层下方。第一电介质层位于第一图案化金属层与第二图案化金属层之间并且包括至少一个导通孔。所述至少一个导通孔从第一图案化金属层延伸到第二图案化金属层。第一图案化金属层与第二图案化金属层是通过所述至少一个导通孔电连接。第二电介质层邻接于第一电介质层且包覆第二图案化金属层。第二电介质层具有多个第一开口以暴露所述第二图案化金属层。载体层邻接于第二电介质层并具有多个第二开口。所述第二开口的位置与所述第一开口的位置实质上相对应。

本发明的另一实施例涉及一种半导体衬底。半导体衬底包含第一图案化金属层、第二图案化金属层、电介质层以及载体层。第二图案化金属层位于第一图案化金属层下方。电介质层位于第一图案化金属层与第二图案化金属层之间并且包覆第二图案化金属层。电介质层具有多个第一开口以暴露第二图案化金属层。电介质层包括至少一个导通孔。所述至少一个导通孔从第一图案化金属层延伸到第二图案化金属层。第一图案化金属层与第二图案化金属层是通过所述至少一个导通孔电连接。载体层邻接于电介质层并具有多个第二开口。所述第二开口的位置与所述第一开口的位置实质上相对应。

本发明的一实施例涉及一种半导体衬底的制造方法。半导体衬底的制造方法包含以下步骤：提供衬底，所述衬底包含：第一图案化金属层、第二图案化金属层、第一电介质层以及第二电介质层。第二图案化金属层位于第一图案化金属层下方。第一电介质层位于第一图案化金属层与第二图案化金属层之间并且包括至少一个导通孔。所述至少一个导通孔从第一图案化金属层延伸到第二图案化金属层。第一图案化金属层与第二图案化金属层是通过所述至少一个导通孔电连接。第二电介质层邻接于第一电介质层且包覆第二图案化金属层。第二电介质层具有多个第一开口以暴露所述第二图案化金属层。在所述第二电介质层上提供载体层，载体层具有多个第二开口，所述第二开口的位置与所述第一开口的位置实质上相对应。

本发明的另一实施例涉及一种半导体衬底的制造方法。半导体衬底的制造方法包含以下步骤：提供衬底，所述衬底包含：第一图案化金属层、第二图案化金属层、电介质层。第二图案化金属层位于第一图案化金属层下方。电介质层位于第一图案化金属层与第二图案化金属层之间并且包覆第二图案化金属层。电介质层具有多个第一开口以暴露第二图案化金属层。电介质层包括至少一个导通孔。所述至少一个导通孔从第一图案化金属层延伸到第二图案化金属层。第一图案化金属层与第二图案化金属层是通过所述至少一个导通孔电连接。在所述电介质层上提供载体层，所述载体层具有多个第二开口，所述第二开口的位置与所述第一开口的位置实质上相对应。

本发明的一实施例涉及一种半导体封装结构的制造方法。半导体封装结构的制造方法包含以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包含：第一图案化金属层、第二图案化金属层、第一电介质层、第二电介质层以及载体层。第二图案化金属层位于第一图案化金属层下方。第一电介质层位于第一图案化金属层与第二图案化金属层之间并且包括至少一个导通孔。所述至少一个导通孔从第一图案化金属层延伸到第二图案化金属层。第一图案化金属层与第二图案化金属层是通过所述至少一个导通孔电连接。第二电介质层邻接于第一电介质层且包覆第二图案化金属层。第二电介质层具有多个第一开口以暴露所述第二图案化金属层。载体层邻接于第二电介质层并具有多个第二开口。所述第二开口的位置与所述第一开口的位置实质上相对应。将裸片接合到所述第一图案化金属层；以及去除所述载体层