[发明专利]电池硅材及其制法有效
| 申请号: | 201410233788.0 | 申请日: | 2014-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN104466143B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
| 发明(设计)人: | 林坤丰;郑荣瑞;林汉涂;詹志鸿 | 申请(专利权)人: | 友达晶材股份有限公司 |
| 主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;H01M4/1395;H01M4/134;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 张振军 |
| 地址: | 中国台湾台中*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电池 及其 制法 | ||
1.一种用于锂离子二次电池硅负电极的多个薄片状硅材的制法,包含:
以一固定磨粒加工具接触一硅基材;以及
通过该固定磨粒加工具与该硅基材以一相对位移路径进行刮刨,产生粒径不均等且形状不一致的多个薄片状硅材。
2.如权利要求1所述用于锂离子二次电池硅负电极的多个薄片状硅材的制法,其特征在于,该固定磨粒加工具与该硅基材的该相对位移路径为直线。
3.如权利要求1所述用于锂离子二次电池硅负电极的多个薄片状硅材的制法,其特征在于,该固定磨粒加工具与该硅基材的该相对位移路径为弧线。
4.如权利要求1所述用于锂离子二次电池硅负电极的多个薄片状硅材的制法,其特征在于,该固定磨粒加工具为一线锯、一带锯或一研磨盘。
5.如权利要求1所述用于锂离子二次电池硅负电极的多个薄片状硅材的制法,其特征在于,该固定磨粒加工具上具有多个磨粒,该些磨粒为天然钻石、人造钻石、立方氮化硼、碳化硅、三氧化二铝或氧化铈。
6.如权利要求1所述用于锂离子二次电池硅负电极的多个薄片状硅材的制法,其特征在于,该通过该固定磨粒加工具与该硅基材以该相对位移路径进行刮刨的步骤中还包含以下步骤:
该固定磨粒加工具与该硅基材于该相对位移路径上往复或单向刮刨。
7.一种锂离子二次电池硅负电极的制法,包含:
以一固定磨粒加工具接触一硅基材;
通过该固定磨粒加工具与该硅基材以一相对位移路径进行刮刨,产生粒径不均等且形状不一致的多个薄片状硅材;
混合该些薄片状硅材与至少一活性材料;以及
结合定型该些薄片状硅材而形成该锂离子二次电池硅负电极。
8.如权利要求7所述的锂离子二次电池硅负电极的制法,其特征在于,该固定磨粒加工具与该硅基材的该相对位移路径为直线。
9.如权利要求7所述的锂离子二次电池硅负电极的制法,其特征在于,该固定磨粒加工具与该硅基材的该相对位移路径为弧线。
10.如权利要求7所述的锂离子二次电池硅负电极的制法,其特征在于,该固定磨粒加工具为一线锯、一带锯或一研磨盘。
11.如权利要求7所述的锂离子二次电池硅负电极的制法,其特征在于,该固定磨粒加工具上具有多个磨粒,该些磨粒为天然钻石、人造钻石、立方氮化硼、碳化硅、三氧化二铝或氧化铈。
12.如权利要求7所述的锂离子二次电池硅负电极的制法,其特征在于,该通过该固定磨粒加工具与该硅基材以该相对位移路径进行刮刨的步骤中还包含:
该固定磨粒加工具与该硅基材于该相对位移路径上往复或单向刮刨。
13.一种应用权利要求7制法所获得的锂离子二次电池硅负电极,包含:
多个薄片状硅材,所述多个薄片状硅材含量大于5重量百分比,该些薄片状硅材的形状不一致、粒径不均等且该些薄片状硅材的粒径尺寸为50纳米至9微米;以及
一活性材料,该活性材料为石墨、碳化硅、金属元素或金属化合物。
14.如权利要求13所述的锂离子二次电池硅负电极,其特征在于,该金属元素为锡、镍、钛、锰、铜或镁;而该金属化合物为碳化钛或钛酸盐。
15.如权利要求13所述的锂离子二次电池硅负电极,其特征在于,所述多个薄片状硅材含量为5重量百分比至80重量百分比。
16.如权利要求15所述的锂离子二次电池硅负电极,其特征在于,所述多个薄片状硅材含量为10重量百分比至20重量百分比。
17.如权利要求13所述的锂离子二次电池硅负电极,其特征在于,该些薄片状硅材的短轴方向厚度为50纳米至200纳米。
18.一种应用权利要求7制法所获得的锂离子二次电池硅负电极,其实质上由多个薄片状硅材与至少一活性材料构成,该些薄片状硅材的形状不一致、粒径不均等且该些薄片状硅材的粒径尺寸为50纳米至9微米。
19.如权利要求18所述的锂离子二次电池硅负电极,其特征在于,所述多个薄片状硅材的短轴方向厚度为50纳米至200纳米。
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