[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号: | 201410233734.4 | 申请日: | 2014-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN104218013B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
| 发明(设计)人: | 清水晓人;冈田史朗 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L23/28;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法,其提高半导体装置的可靠性。半导体装置(1)具有搭载了半导体芯片(3)的管芯焊盘(10)。管芯焊盘(10)以使位于搭载了半导体芯片(3)的上表面(10a)的相反侧的下表面(10b)露出的方式被树脂密封。另外,管芯焊盘(10)在俯视时,具有包括搭载了半导体芯片(3)的区域的中央部(11)、和设置在中央部(11)的旁边的边缘部(12)。另外,在中央部(11)和边缘部(12)的边界,设置了以使边缘部(12)的高度高于中央部(11)的高度的方式来形成的阶梯面(13a)。
技术领域
本发明涉及半导体装置及其制造技术,涉及适用于将例如半导体芯片搭载于管芯焊盘(die pad)上的半导体装置的有效技术。
背景技术
在日本特开2001-85591号公报(专利文献1)中,记载了在搭载半导体芯片的管芯焊盘(芯片焊盘)的上表面形成槽。
另外,在日本特开2008-211231号公报(专利文献2)中,记载了以使搭载半导体芯片的管芯焊盘的圆形的中央部相比周围而配置于上方的方式实施冲压加工。
另外,在日本特开2002-134677号公报(专利文献3)中,记载了在搭载半导体芯片的管芯焊盘(岛部)的边缘附近,设置下表面的一部分通过蚀刻被去除了的薄壁部,并在薄壁部中形成有狭缝的构造。
【专利文献1】日本特开2001-85591号公报
【专利文献2】日本特开2008-211231号公报
【专利文献3】日本特开2002-134677号公报
发明内容
作为半导体装置的封装方式,有使搭载半导体芯片的管芯焊盘(片(tab))从密封体露出的、所谓片露出型的半导体装置。片露出型的半导体装置能够增大半导体装置的向外部的散热路径的面积,所以能够提高散热性。另外,通过对管芯焊盘和半导体芯片进行电连接,能够将管芯焊盘用作端子。
在这样的半导体装置中,管芯焊盘的平面面积大于半导体芯片的平面面积。但是,如果管芯焊盘的平面面积变大,则密封半导体芯片的密封体和管芯焊盘易于发生剥离,半导体装置的可靠性降低成为问题。
其他课题和新的特征根据本说明书的记述以及附图将更加明确。
一个实施方式的半导体装置具有搭载了半导体芯片的管芯焊盘。上述管芯焊盘以使位于搭载了上述半导体芯片的第一面的相反侧的第二面露出的方式被树脂密封。另外,上述管芯焊盘在俯视时,具有包括搭载了上述半导体芯片的区域的第一部分、和设置于上述第一部分的旁边的第二部分。另外,在上述第一部分与上述第二部分的边界处,设置了以使上述第二部分的高度高于上述第一部分的高度的方式形成了的阶梯面。
根据上述一个实施方式,能够提高半导体装置的可靠性。
附图说明
图1是作为一个实施方式的半导体装置的顶面图。
图2是图1所示的半导体装置的底面图。
图3是在去掉了图1所示的密封体的状态下示出半导体装置的内部构造的透视俯视图。
图4是沿着图1的A-A线的剖面图。
图5是沿着图1的B-B线的剖面图。
图6是将图3所示的管芯焊盘放大而示出的放大俯视图。
图7是沿着图6的A-A线的放大剖面图。
图8是图3的C部的放大俯视图。
图9是沿着图8的A-A线的放大剖面图。
图10是作为针对图9的研究例的管芯焊盘的放大剖面图。
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