[发明专利]一种磁传感器的动态模型标定方法

权利要求书

1.一种磁传感器的动态模型标定方法，其特征在于，用于标定的方法包括：

将一长直导线置于磁屏蔽筒的中心轴线上，所述长直导线经测试电阻与信号源导通；

选用一高精度磁传感器置于所述磁屏蔽筒内，所述高精度磁传感器实时检测所述长直导线产生的磁信号，并将所述磁信号转换为电信号，作为负反馈反馈给所述信号源；

将待标定磁传感器置于所述磁屏蔽筒内，所述待标定磁传感器与所述长直导线的垂直距离小于所述磁屏蔽筒直径的0.1倍，所述待标定磁传感器与所述磁屏蔽筒口部的水平距离为所述磁屏蔽筒长度的二分之一；

测量所述待标定磁传感器的位置参数；

所述信号源为所述长直导线提供典型信号，所述信号源为所述长直导线提供的典型信号为扫频信号，通过所述位置参数，计算得出所述待标定磁传感器的激励输入磁场；采集所述测试电阻两端的电压信号和所述待标定磁传感器的磁场响应输出信号；

通过所述位置参数计算所述待标定磁传感器的激励输入磁场，处理所述激励输入磁场和所述磁传感器响应输出信号，标定待标定磁传感器的动态特性。

2.如根据权利要求1所述一种磁传感器的动态模型标定方法，其特征在于，所述测量所述待标定磁传感器的位置参数包括：

所述信号源为所述长直导线提供直流激励信号；

采集所述测试电阻两端的电压信号和所述待标定磁传感器的输出电压信号；

由毕奥-萨伐尔定律计算所述位置参数。

3.根据权利要求2所述一种磁传感器的动态模型标定方法，其特征在于，所述位置参数包括所述待标定磁传感器与所述长直导线的垂直距离，以及所述待标定磁传感器敏感轴与所述长直导线的夹角。

4.根据权利要求3所述一种磁传感器的动态模型标定方法，其特征在于，所述信号源为所述长直导线提供的典型信号为阶跃激励信号，通过所述位置参数，计算得出所述待标定磁传感器的激励输入磁场。

5.根据权利要求3或4所述一种磁传感器的动态模型标定方法，其特征在于，所述高精度磁传感器与所述长直导线的垂直距离小于所述磁屏蔽筒直径的0.1倍，所述高精度磁传感器与所述磁屏蔽筒口部的水平距离为所述磁屏蔽筒长度的二分之一。

6.一种用于实现如权利要求1所述的标定方法的系统，其特征在于，包括磁屏蔽筒(1)、长直导线(2)和待标定磁传感器(3)，所述长直导线(2)置于所述磁屏蔽筒(1)的中心轴线上；所述长直导线(2)经测试电阻(4)与所述信号源(5)导通，所述磁屏蔽筒(1)内还放置有用于为所述信号源(5)提供负反馈量的高精度磁传感器(6)；所述系统还包括用于检测所述测试电阻(4)两端电压与所述待标定磁传感器(3)输出响应信号的采集装置(7)。

7.如权利要求6所述系统，其特征在于，所述磁屏蔽筒(1)为材料选用高磁导率的坡莫合金、镍铁合金制作而成的圆柱面的筒。

8.如权利要求7所述系统，其特征在于，所述磁屏蔽筒(1)的长度为0.5米至1米。