[发明专利]一种辅助增强原子层沉积方法有效
| 申请号： | 201410231674.2 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN105274495B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王东君;邵锐;陈宇林;智顺华;郭敏;王灿 | 申请（专利权）人： | 英作纳米科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人： | 张颖玲,王黎延 |
| 地址： | 100085 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辅助 增强 原子 沉积 方法 | ||
1.一种辅助增强原子层沉积方法，其特征在于，所述方法应用于原子层沉积设备的反应腔体内，所述反应腔体内放置有沉积基体；所述方法包括：
步骤一：采用体积比为4:1的He和Ar的混合气体的等离子体将沉积基体活化，活化的条件为：在所述等离子体充满所述反应腔体，且产生波长254nm-365nm的光谱的条件下，照射所述沉积基体10s进行活化；
步骤二：活化后，将第一前驱体化学吸附于所述沉积基体上；
步骤三：将第二前驱体与吸附于所述沉积基体上的所述第一前驱体进行反应形成第一薄膜；
步骤四：按照步骤三的方式，将第i前驱体与形成于所述沉积基体上的薄膜进行反应形成第二薄膜，直至将第N前驱体与形成于所述沉积基体上的薄膜进行反应形成第三薄膜为止，完成一次原子层沉积过程；
循环执行步骤二至步骤四，直至在所述沉积基体上形成预设薄膜为止；
其中，所述i和N为大于等于0的正整数。
2.一种辅助增强原子层沉积方法，其特征在于，所述方法应用于原子层沉积设备的反应腔体内，所述反应腔体内放置有沉积基体；所述方法包括：
步骤一：采用Kr气等离子体将沉积基体活化，活化的条件为：在所述等离子体充满所述反应腔体，且产生波长100nm-200nm的光谱的条件下，照射所述沉积基体0.1s进行活化；
步骤二：活化后，将第一前驱体化学吸附于所述沉积基体上；
步骤三：将第二前驱体与吸附于所述沉积基体上的所述第一前驱体进行反应形成第一薄膜；
步骤四：按照步骤三的方式，将第i前驱体与形成于所述沉积基体上的薄膜进行反应形成第二薄膜，直至将第N前驱体与形成于所述沉积基体上的薄膜进行反应形成第三薄膜为止，完成一次原子层沉积过程；
循环执行步骤二至步骤四，直至在所述沉积基体上形成预设薄膜为止；
其中，所述i和N为大于等于0的正整数。
3.一种辅助增强原子层沉积方法，其特征在于，所述方法应用于原子层沉积设备的反应腔体内，所述反应腔体内放置有沉积基体；所述方法包括：
步骤一：采用体积比为8:1的Ne气和CO2的混合物气体的等离子体将沉积基体活化，活化的条件为：在所述等离子体充满所述反应腔体，且产生波长800nm-1μm的光谱的条件下，照射所述沉积基体300s进行活化；
步骤二：活化后，将第一前驱体化学吸附于所述沉积基体上；
步骤三：将第二前驱体与吸附于所述沉积基体上的所述第一前驱体进行反应形成第一薄膜；
步骤四：按照步骤三的方式，将第i前驱体与形成于所述沉积基体上的薄膜进行反应形成第二薄膜，直至将第N前驱体与形成于所述沉积基体上的薄膜进行反应形成第三薄膜为止，完成一次原子层沉积过程；
循环执行步骤二至步骤四，直至在所述沉积基体上形成预设薄膜为止；
其中，所述i和N为大于等于0的正整数。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
