[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；

在所述半导体衬底第一区域的部分表面形成第一栅介质层和位于所述第一栅介质层表面的第一栅极，在半导体衬底第二区域的部分表面形成第二栅介质层和位于所述第二栅介质层表面的第二栅极；

形成覆盖所述半导体衬底、第一栅介质层、第一栅极、第二栅介质层和第二栅极的第一介质层；

在所述第一介质层表面形成保护层，形成所述保护层之前，采用无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述第一介质层，去除位于半导体衬底表面以及第一栅极、第二栅极顶部的第一介质层，再形成所述保护层；

在所述第二区域上形成掩膜层，以所述掩膜层为掩膜，去除第一区域上的保护层，暴露出第一区域上的第一介质层表面；

去除所述掩膜层后，以第二区域上的保护层为掩膜，去除第一区域上的第一介质层；

去除所述第一区域上的第一介质层之后，在所述第一区域和第二区域上形成第二介质层；

采用无掩膜刻蚀工艺，刻蚀所述第二介质层至半导体衬底表面，形成位于第一栅介质层和第一栅极侧壁表面的第一侧墙、位于第二栅介质层和第二栅极侧壁表面的第二侧墙。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一介质层之前，对所述半导体衬底、第一栅极和第二栅极表面进行氧化，形成氧化层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述氧化层，所述氧化层的厚度为

4.根据权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一介质层之前，形成覆盖所述半导体衬底、第一栅介质层、第一栅极、第二栅介质层和第二栅极的第三介质层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用高深宽比沉积工艺形成所述第三介质层。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三介质层的材料与保护层的材料相同。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三介质层的材料为氧化硅。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三介质层的厚度为30

9.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在去除所述第一区域上的第一介质层之后，继续去除所述第一区域上的第三介质层以及第二区域上的保护层，然后再形成所述第二介质层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺同时去除第一区域上的第三介质层和第二区域上的保护层，采用的刻蚀溶液为氢氟酸溶液。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为氮化硅。