[发明专利]氧化物烧结体和其制造方法、靶及透明导电膜

权利要求书

1.一种氧化物烧结体，其由铟和铈的氧化物构成，并且，铈的含量以Ce/(In+Ce)原子数比计为0.3～9原子％，其特征在于，该氧化物烧结体以方铁锰矿型结构的In₂O₃相为主结晶相，作为第二相的萤石型结构的CeO₂相作为平均粒径3μm以下的结晶颗粒而进行细微地分散。

2.权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，用下述式定义的X射线衍射峰强度比(I)为25％以下，

I＝CeO₂相(111)/In₂O₃相(222)×100[％]。

3.权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其特征在于，不含有锡。

4.一种氧化物烧结体的制造方法，在该方法中，将由氧化铟粉末和氧化铈粉末构成的原料粉末进行混合，然后对混合粉末进行成形，并利用常压烧结法对成形物进行烧结，或者利用热压法对混合粉末进行成形并烧结，其特征在于，使原料粉末的平均粒径为1.5μm以下，混合该原料粉末后进行成形，对得到的成形物进行烧结，得到氧化物烧结体，烧结后的氧化物烧结体中，方铁锰矿型结构的In₂O₃相成为主结晶相，由作为第二相的萤石型结构的CeO₂相构成的平均粒径3μm以下的结晶颗粒进行细微地分散。

5.权利要求4所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，通过常压烧成法，在含有氧气的环境中使烧结温度为1250～1650℃、烧结时间为10～30小时对成形物进行烧结，得到采用溅射法形成透明导电膜时使用的靶用氧化物烧结体。

6.权利要求4所述的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，通过热压法在不活泼气体环境或真空中，在2.45～29.40MPa的压力下、于700～950℃对原料粉末进行1～10小时的成形、烧结，得到采用溅射法形成透明导电膜时使用的靶用氧化物烧结体。

7.一种溅射用靶，其通过对权利要求1～3中任一项所述的氧化物烧结体进行加工而得到，氧化物烧结体的密度为6.3g/cm³以上。

8.一种透明导电膜，其特征在于，该透明导电膜是通过使用权利要求7所述的靶，以溅射法而形成于基板上的。