[发明专利]高频高精度氮化铝陶瓷10W-1dB衰减片

说明书

技术领域

本发明涉及一种氮化铝衰减片,特别涉及一种高频高精度氮化铝陶瓷10W-1dB衰减片。

背景技术

目前集成了多个膜状电阻为一体，通过电阻及线路不同设计的衰减片广泛应用于雷达，卫星通讯，电子对抗等军事工业和移动电话、PCS和商用基站市场领域。是隔离器、合路器、功率放大器中不可或缺的元器件，使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平,去耦,对相关设备起到了保护作用。

在国外，特别是欧美国家，对衰减片和负载片研发生产都要比国内起步早很多，无论在产品的丰富性还是产品微波特性上都处于比较优势地位。同时国内市场上现有的衰减片系列少，衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。

发明内容

针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻值满足436.3Ω±3％，在3G频段以内衰减精度为1±0.5dB,驻波要求输入、输出端在1.2以内，能够满足目前4G网络的应用要求的高频高精度氮化铝陶瓷10W-1dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种高频高精度氮化铝陶瓷10W-1dB衰减片，包括氮化铝陶瓷基片，氮化铝陶瓷基片的尺寸为5mm×2.5mm×0.635mm,氮化铝陶瓷基片的背面印刷有银浆，氮化铝陶瓷基片的正面印刷有5个电阻及氮化铝银浆导线，银浆导线两端分别连接两个长方形的焊盘，银浆导线之间的5个电阻形成衰减电路。通过改变衰减电路中阻值的尺寸大小和电阻值来获得需要的衰减值,通过优化电路结构设计提高了高频高精度氮化铝陶瓷10W-1dB衰减片衰减精度以及更小的驻波比。高频高精度氮化铝陶瓷10W-1dB衰减片，使用频率高、衰减精度高，驻波比小，可达到目前的4G网络的应用要求。

优选的，所述衰减片基板采用高绝缘性氮化铝陶瓷基板。

优选的，所述电路中的银浆和电阻采用低温共烧技术。

优选的，所述电路保护采用高密度耐化学腐蚀保护膜。

上述技术方案具有如下有益效果：高频高精度氮化铝陶瓷10W-1dB衰减片，采用了高绝缘性氮化铝陶瓷基板，增强了高功率下的产品性能稳定性，同时银浆和电阻采用了低温共烧技术，提高了生产效率和多次烧结多产品产生伤害的奉贤，电路结构的优化设计提高了产品的各项微波性能，使产品性能指标得到提高，驻波比更小，在微波性能提高的同时满足了产品的功率容量要求，该产品的衰减精度达到了3G以内1±0.5dB,驻波满足市场要求,从而使得产品可以应用于4G网络。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

图1为本发明实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。

如图1所示，高频高精度氮化铝陶瓷10W-1dB衰减片,包括氮化铝陶瓷基片1，氮化铝陶瓷基片1的背面印刷有银浆，氮化铝陶瓷基片1的正面印刷有银浆导线2及膜状电阻R1、R2、R3，R4、R5，膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5通过银浆导线连接形成衰减电路，衰减电路通过端涂银浆与背部银浆层连接，从而使衰减电路形成通路。该衰减电路沿陶瓷基板的中心线对称，膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5上印刷有绿色保护膜3，银浆导线2及绿色保护膜3的上表面还印刷有一层高密度耐化学腐蚀保护膜4，这样可对银浆导线2及膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5形成保护。

高频高精度氮化铝陶瓷10W-1dB衰减片要求输入端和接地的阻值为436.3Ω±3％，输出端和接地端的阻值为436.3Ω±3％。信号从输入端进入衰减片，经过5个黑色膜状电阻R1、R2、R5、R3、R4对功率的逐步衰减，从输出端输出实际所需要的信号。