[发明专利]一种太阳能电池电极及太阳能电池有效
| 申请号: | 201410228402.7 | 申请日: | 2014-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN103972309A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
| 发明(设计)人: | 连维飞;倪志春;魏青竹;陆俊宇;蒋文杰 | 申请(专利权)人: | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 黄珩 |
| 地址: | 215542 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 电极 | ||
技术领域
本发明属于新能源太阳能电池领域,尤其涉及一种太阳能电池电极及太阳能电池。
背景技术
目前广泛应用的晶体硅太阳能电池中电极作用不可替代,其充当收集光生载流子并导出外接电路的作用,现有电极图形设计(如图1),栅线密集,遮光面积大,且主栅区域与硅片接触面积大,增加了表面复合损失,电池效率亟待提高。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种克服上述问题的太阳能电池电极及太阳能电池。
实现本发明目的的技术方案是:一种太阳能电池电极,所述太阳能电池电极包括至少一组栅线,所述每组栅线包括至少一个主栅和一组均连接该主栅并向外发散延伸的细栅,所述相邻两组栅线对应的细栅一一对应连接,即各组栅线之间形成两方连续或四方连续。
优选的,所述太阳能电池的外沿处设置有连续的边栅线,所有靠所述太阳能电池外沿的栅线,其向太阳能电池边沿延伸的细栅均连接于所述边栅。
优选的,所述细栅是一组汇聚到一点的射线。
优选的,所述同一组细栅中相邻的两条细栅之间的夹角相同。
优选的,所述主栅为条形、矩形、圆形、多边形或闭合曲线。
优选的,所述相邻两组栅线的细栅连接点每两个之间跨接有短栅线,所述短栅线连续设置或间隔设置。
优选的,所述细栅为直线或曲线。
一种太阳能电池,其太阳能电池电极为如前所述的太阳能电池电极。
本发明的有益效果是:电极覆盖面积减少,改善太阳能电池性能;同时所制造的晶体硅太阳能电池设计美观,适用于光伏建筑一体化、市政工程等领域;另外结合本发明设计,可以降低印刷所需的浆料耗量,提高电性能;并且本发明结构简单,容易实现。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,其中:
图1为现有技术中太阳能电池及电极的示意图;
图2是本发明太阳能电池及电极的示意图。
图中,1、主栅2、细栅、3短栅线4、边栅
具体实施方式
一种太阳能电池电极,所述太阳能电池电极包括至少一组栅线,所述每组栅线包括至少一个主栅和一组均连接该主栅并向外发散延伸的细栅,所述相邻两组栅线对应的细栅一一对应连接,即各组栅线之间形成两方连续或四方连续。
其制作工艺如下:
1、利用硝酸、氢氟酸混合液或氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面。
2、经过盐酸、氢氟酸溶液清洗后,将硅片置入扩散炉中进行扩散工序:温度为800-900℃,通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体,处理时间为30-90分钟,在硅片表面形成30-150Ω/sqr发射结。
3、利用湿法刻蚀或等离子刻蚀设备去除硅片边结。
4、利用PECVD设备在发射结表面制作氮化硅膜:膜厚控制范围85um左右,折射率控制范围2.0-2.15。
5、利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场,利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。
正面电极图形设计(如图2),背面电极、背面电场图形采用常见网版图形。
本发明的一个实施例如图2所示,该太阳能电池电极,所述太阳能电池电极包括至少16组栅线,4x4矩阵排列,所述每组栅线包括一个主栅1和一组均连接该主栅并向外发散延伸的细栅2,所述相邻两组栅线对应的细栅2一一对应连接,即各组栅线之间形成四方连续。所述细栅2是一组汇聚到一点的射线。所述同一组细栅中相邻的两条细栅2之间的夹角相同。所述相邻两组栅线的细栅2连接点每两个之间跨接有短栅线3,所述短栅线3间隔设置。
如果需要,还可以在太阳能电池的外沿处设置有连续的边栅线4,所有靠所述太阳能电池外沿的栅线,其向太阳能电池边沿延伸的细栅均连接于所述边栅4。
根据需要,所述主栅除了如上述实施例中的条形,还可以是矩形、圆形、多边形或闭合曲线。
另外,为了美观,所述细栅也可以为曲线,比如上述实施例中的射线(直线)均用相同的曲线替代。
一种太阳能电池,其太阳能电池电极为如前所述的太阳能电池电极。
本发明的有益效果是:电极覆盖面积减少,改善太阳能电池性能;同时所制造的晶体硅太阳能电池设计美观,适用于光伏建筑一体化、市政工程等领域;另外结合本发明设计,可以降低印刷所需的浆料耗量,提高电性能;并且本发明结构简单,容易实现。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





