[发明专利]一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法

说明书

技术领域

本发明属于太阳能硅片测试领域，尤其涉及一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法。

背景技术

太阳能硅片的电阻率是评判太阳能硅片导电能力的重要指标之一，为防止规格参差太大，测试太阳能硅片电阻率是太阳能硅片加工成太阳能电池片前的重要检测工序。

现有技术中，太阳能硅片电阻率电涡流测量方法采用了较为复杂的高频变频、低频锁相放大、低频带通滤波等成品仪器、仪表组合，以致具有设备环节多、体积大、补偿、协调控制复杂、自校正、补偿耗时长影响测试速度、造价昂贵等缺点。

因此，亟需一种简单快速的太阳能硅片电阻率电涡流测试方法。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法。

实现本发明目的的技术方案是：一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，包括以下步骤：

步骤一，电涡流激励器f1激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流，电涡流传感器感应所述涡流生成电流信号和电压信号；

步骤二，高频变压器采集步骤一中的电压信号，无感电阻采集步骤一中的电流信号；

步骤三，第一差频器将高频振荡源f2与步骤二中电压信号差频后得到中频电压信号，第二差频器将高频振荡源f2与步骤二中电流信号差频后得到中频电流信号；

步骤四，将步骤三中的中频电压信号依次经过第一中频放大器进行中频放大、第一检波及低通电路进行滤除交流分量、第一直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后得到电压的模拟量V；

步骤五，将步骤三中的中频电流信号依次经过第二中频放大器进行中频放大、第二检波及低通电路进行滤除交流分量、第二直流放大器进行放大和模数转换器转换，最后得到电流的模拟量i；

步骤六，将步骤四和步骤五中电压的模拟量V和电流i的模拟量根据以下公式计算出太阳能硅片的电阻率：

ρ=(Vi·LAM)t]]>

其中，L为涡流的圆形长度，A为涡流的面积，M为电涡流激励器f1激励与硅片电涡流之间的耦合系数，t为太阳能硅片的厚度。

进一步的，所述步骤一中电涡流传感器为线圈和电容并联的谐振回路。

进一步的，所述步骤一中电涡流激励器f1生成频率为2.725Mhz～2.775Mhz，幅度为1.5Vp-p±2mV的高频正弦波信号。

进一步的，所述步骤一中电涡流激励器f1的输入端连接有f1自动幅度控制器。

进一步的，所述步骤三中高频振荡源f2生成频率大于f1465Khz的高频正弦波信号。

进一步的，所述步骤三中高频振荡源f2的输入端连接有f2幅度控制器。

本发明具有积极的效果：本发明的测试方法是基于电涡流激励器f1激励硅片，电涡流传感器感应硅片上形成的涡流生成电流信号和电压信号，然后依次经过传输、差频、中频放大、检波及低通、直流放大，最后输出电压和电流的模拟量并根据公式计算出太阳能硅片的电阻率。本方法相较于现有技术，架构清晰、电路结构简单、系统调整、涉用仪器、仪表少、方便快捷，具有工作稳定、重复性好、使用寿命长和成本低的优点。

附图说明

为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中：

图1为本发明的结构框图。

具体实施方式

如图1所示，作为第一优选实施方式，本实施方式提供一种太阳能硅片电阻率电涡流测试方法，适用于单晶和/或多晶太阳能硅片的非接触测试，包括以下步骤：

步骤一，电涡流激励器f1激励太阳能硅片并在太阳能硅片表面形成涡流，电涡流传感器感应所述涡流生成电流信号和电压信号；

步骤二，高频变压器采集步骤一中的电压信号，无感电阻采集步骤一中的电流信号；

步骤三，第一差频器将高频振荡源f2与步骤二中电压信号差频后得到中频电压信号，第二差频器将高频振荡源f2与步骤二中电流信号差频后得到中频电流信号；