[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201410228115.6 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105206665A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 方磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底内的P阱与N阱、位于所述N阱内的源极与位于所述P阱内的漏极、以及位于所述P阱内的浅沟槽隔离，还包括位于所述半导体衬底上且延伸入所述半导体衬底的栅极结构，其中所述栅极结构延伸入所述半导体衬底的部分与所述浅沟槽隔离所在的位置相对应。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构延伸入所述半导体衬底的部分位于所述浅沟槽隔离的上方。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构延伸入所述半导体衬底的部分的厚度与所述浅沟槽隔离的高度相同或者为所述浅沟槽隔离的高度的二分之一。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构延伸入所述半导体衬底的部分位于所述浅沟槽隔离的内部。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述栅极结构两侧的栅极侧壁。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述N阱内的体电极。
7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成位于拟形成的P阱内的浅沟槽隔离；
步骤S102：通过离子注入在所述半导体衬底内形成P阱与N阱，其中所述P阱包围所述浅沟槽隔离；
步骤S103：在所述浅沟槽隔离所在位置处形成凹槽；
步骤S104：形成位于所述半导体衬底上且延伸入所述凹槽的栅极结构；
步骤S105：通过离子注入形成位于所述N阱内的源极以及位于所述P阱内的漏极。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，形成所述凹槽的方法包括：
通过刻蚀将所述浅沟槽隔离去除一定的厚度，以在所述浅沟槽隔离的上方形成所述凹槽。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述浅沟槽隔离被去除的厚度为所述浅沟槽隔离的高度的二分之一或三分之一。
10.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，形成所述凹槽的方法包括：
对所述浅沟槽隔离进行刻蚀，以形成位于所述浅沟槽隔离内的所述凹槽。
11.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104与所述步骤S105之间还包括步骤S1045：
形成位于所述栅极结构两侧的栅极侧壁。
12.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105中还包括通过离子注入形成位于所述N阱内的体电极的步骤。
13.一种电子装置，其特征在于，包括半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件，其中所述半导体器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底内的P阱与N阱、位于所述N阱内的源极与位于所述P阱内的漏极、以及位于所述P阱内的浅沟槽隔离，还包括位于所述半导体衬底上且延伸入所述半导体衬底的栅极结构，其中所述栅极结构延伸入所述半导体衬底的部分与所述浅沟槽隔离所在的位置相对应。
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