[发明专利]具有分层互连结构的桥互连

权利要求书

1.一种用于具有分层互连结构的桥互连的装置，包括：

衬底；

粘合安装的桥，其粘合安装并嵌在所述衬底中，所述桥被配置成在第一管芯和第二管芯之间传送电信号；以及

互连结构，其与所述桥电气地耦合，所述互连结构包括：

过孔结构，其包括第一导电材料，所述过孔结构设置成穿过所述衬底的至少一部分传送所述电信号，

阻挡层，其包括设置在所述过孔结构上的第二导电材料，以及

可焊接材料，其包括设置在所述阻挡层上的第三导电材料，其中所述第一导电材料、所述第二导电材料和所述第三导电材料具有不同的化学成分。

2.如权利要求1所述的装置，其中：

所述桥包括焊盘；以及

所述第一导电材料与所述焊盘直接接触。

3.如权利要求1所述的装置，其中所述过孔结构突出在所述衬底的最外面的内置层的表面之外。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述阻挡层覆盖所述过孔结构的表面，以抑制所述第一导电材料的扩散。

5.如权利要求1所述的装置，其中所述第一管芯包括处理器，而所述第二管芯包括存储器管芯或另一处理器。

6.如权利要求1所述的装置，其中所述电信号是输入/输出(I/O)信号。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述桥包括半导体材料，所述半导体材料包括硅(Si)，且其中所述衬底包括基于环氧树脂的介电材料。

8.如权利要求1所述的装置，其中使用味之素内置膜(ABF)层压将所述桥嵌在所述衬底中。

9.如权利要求1-8中的任一项所述的装置，其中所述第一导电材料包括铜(Cu)，所述第二导电材料包括镍(Ni)，且所述第三导电材料包括锡(Sn)。

10.一种用于桥互连的方法，包括：

将桥嵌在衬底中；

形成与所述桥连接以在所述衬底的表面之外传送电信号的接头，所述接头包括第一导电材料；

直接在所述接头上形成包括第二导电材料的阻挡层；以及

直接在所述阻挡层上形成包括第三导电材料的焊接层，所述阻挡层和所述焊接层被配置成传送所述电信号，

其中将所述桥嵌在所述衬底中包括：形成桥腔；将所述桥放置在所述桥腔中；以及在所述桥之上层压介电材料。

11.如权利要求10所述的方法，其中形成所述接头包括：

在所述衬底中形成过孔腔；

在光敏材料中在所述过孔腔之上形成开口；以及

使用电镀工艺将所述第一导电材料沉积到所述过孔腔和所述开口中。

12.如权利要求10所述的方法，其中形成所述阻挡层包括：

将所述第二导电材料沉积在所述接头上。

13.如权利要求10所述的方法，其中形成所述焊接层包括：

将所述第三导电材料沉积在所述阻挡层上。

14.如权利要求10所述的方法，还包括：

使所述焊接层回流以形成圆形凸块。

15.如权利要求10-14中的任一项所述的方法，其中第一导电材料包括铜(Cu)，所述第二导电材料包括镍(Ni)，且所述第三导电材料包括锡(Sn)。

16.一种用于具有分层互连结构的桥互连的系统，包括：

第一管芯和第二管芯；以及

具有粘合安装的桥和互连结构的衬底，所述桥粘合安装并嵌在所述衬底中；

所述桥和所述互连结构被配置成在所述第一管芯和所述第二管芯之间传送电信号；

所述互连结构与所述桥电气地耦合，所述互连结构包括：

过孔结构，其包括第一导电材料，所述过孔结构设置成穿过所述衬底的至少一部分传送所述电信号，

阻挡层，其包括设置在所述过孔结构上的第二导电材料；以及

可焊接材料，其包括设置在所述阻挡层上的第三导电材料，其中所述第一导电材料、所述第二导电材料和所述第三导电材料具有不同的化学成分。

17.如权利要求16所述的系统，其中所述桥包括半导体材料，所述半导体材料包括硅(Si)。