[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，其包括：

基底；

薄膜晶体管单元，位于该基底上，该薄膜晶体管单元包括有栅极，栅极绝缘层，半导体层，源漏极接触层以及源极和漏极，该漏极包括电极主体部、电极延伸部以及通过该电极延伸部电连接于该电极主体部的电极连接部；

支撑部，位于该栅极绝缘层上并位于该薄膜晶体管单元的靠近该漏极和该漏极接触层的一侧，该电极连接部覆盖该支撑部的远离该基底的上表面；

绝缘平坦层，位于该基底上，覆盖该薄膜晶体管单元及该支撑部并具有平坦层通孔和第二通孔，该电极连接部从该绝缘平坦层的该第二通孔露出；

第一电极，位于该绝缘平坦层上；

绝缘保护层，覆盖该绝缘平坦层以及该第一电极，该绝缘保护层设有与该第二通孔连通的第一通孔；以及

第二电极，位于该绝缘保护层上，并填入该第一通孔和该第二通孔中与该电极连接部电性连接。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该支撑部具有相对的第一侧面和第二侧面，该上表面连接于该第一侧面和该第二侧面之间，该第一侧面面向该薄膜晶体管单元，该漏极的该电极延伸部覆盖该第一侧面。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该绝缘平坦层包括绝缘层以及平坦层，该绝缘平坦层位于该基底上，覆盖该薄膜晶体管单元以及该支撑部，该第二通孔贯通该绝缘平坦层的该绝缘层和该平坦层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该绝缘平坦层还可仅包括平坦层，该平坦层通孔即为该第二通孔。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该支撑部的材料与该平坦层的材料相同。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该绝缘平坦层具有远离该基底的平坦面，该支撑部的该上表面低于该平坦面。

7.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，其包括：

首先在基底上形成预薄膜晶体管单元，形成的该预薄膜晶体管单元包括栅极，栅极绝缘层，半导体层，源漏极接触层；

然后在该预薄膜晶体管单元的靠近漏极接触层的一侧形成支撑部；

接下来在形成支撑部之后形成源漏极，该源漏极彼此分隔，将部分半导体层从源漏极中间露出，该漏极具有电极主体部、电极延伸部和通过该电极延伸部电连接于该电极主体部的电极连接部；

在源漏极之后形成绝缘平坦层，该绝缘平坦层覆盖源极，漏极，从源漏极中间露出的半导体层，支撑部以及栅极绝缘层；

在该绝缘平坦层上形成第一电极；

在形成第一电极之后形成绝缘保护层，该绝缘保护层覆盖该绝缘平坦层以及该第一电极；

最后在该绝缘保护层上形成第二电极。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该绝缘平坦层的制作方法包括：在该基底上形成绝缘层，再在该绝缘层上形成该平坦层；

该绝缘平坦层的制作方法还包括在该平坦层进行第一次开孔制程，移除该电极连接部上方的该平坦层形成平坦层通孔以露出该绝缘层，然后在该平坦层通孔对应位置处移除该绝缘保护层以形成第一通孔，并进一步移除该对应位置处的绝缘平坦层中的绝缘层以形成与该第一通孔连通的第二通孔，以使该电极连接部从该第一通孔和该第二通孔露出，以使该第二电极填入该第一通孔和第二通孔中与该漏极的该电极连接部电性连接。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该绝缘保护层的制作方法中包括：在该基底上仅形成平坦层，并对该平坦层进行第一次开孔制程，形成平坦层通孔以露出该电极连接部，然后在该平坦层通孔对应位置处移除该绝缘保护层以形成第一通孔，使该电极连接部从该第一通孔和平坦层通孔中露出，以使该第二电极，填入该第一通孔与平坦层通孔中与该漏极的该电极连接部电性连接。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，形成该绝缘平坦层具有远离该基底的平坦面，该支撑部的该上表面低于该平坦面。