[发明专利]温度校准方法及系统

说明书

本发明提供一种温度校准方法及系统。其中方法包括以下步骤：建立真实温度和被校准温度的预设对应关系数集，并计算各温度偏移量，温度偏移量为相对应的真实温度与被校准温度的差值；读取温控器的预设温度；根据预设对应关系数集计算预设温度对应的实际温度偏移量；温控器根据实际温度偏移量和预设温度控制机台加热。其可保证工艺温度的准确，实现多个不同预设温度的温度校准，在温度校准过程中，通过计算真实温度和被校准温度的差值，得到实际温度偏移量的方式进行，可实现实时温度校准，在工艺加工过程中，实际温度偏移量保持不变，减少了通讯量。

技术领域

本发明涉及半导体工艺加工技术领域，特别是涉及一种温度校准方法及系统。

背景技术

CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相淀积)方法是一种利用不同气体在高温下的相互反应来制备外延薄膜层的方法。对于CVD设备来说反应温度都比较高，一般反应温度都在1000℃以上，因此CVD设备中采用感应加热比较多，在感应加热中，一般采用红外测温仪进行温度测温。

传统的温度校准方法需通过特殊的软件修改红外测温仪的发射率进行温度校准，由于红外测温仪的发射率只能设定一个值，因此只能对一个温度点进行温度校准。

发明内容

针对传统技术只能对一个温度点进行温度校准的问题，本发明提供了一种可以对多个不同预设温度进行温度校准的温度校准方法及系统。

为达到技术目的，本发明提供一种温度校准方法，包括以下步骤：

温控器控制机台加热；

读取机台的温度，记作机台的真实温度；

读取温控器的输出温度，记作机台的被校准温度；

所述真实温度至少为一个，所述被校准温度至少为一个；

将所述真实温度和所述被校准温度一一对应记录下来，建立所述真实温度和所述被校准温度的预设对应关系数集，并计算各温度偏移量，所述温度偏移量为相对应的所述真实温度与所述被校准温度的差值；

读取温控器的预设温度；

根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温度偏移量；

所述温控器根据所述实际温度偏移量和所述预设温度控制机台加热。

作为一种可实施方式，所述根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温度偏移量，包括如下步骤：

若所述预设温度为所述预设对应关系数集中的被记录的一个所述被校准温度，所述预设温度对应的实际温度偏移量为所述真实温度与所述被校准温度的差值。

作为一种可实施方式，所述根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温度偏移量，包括如下步骤：

若所述预设温度不是所述预设对应关系数集中的被记录的所述被校准温度，则从预设对应关系数集中读取与所述预设温度邻近的两个所述被校准温度，比所述预设温度大的所述被校准温度记作第一被校准温度，相应的所述真实温度记作第一真实温度，比所述预设温度小的所述被校准温度记作第二被校准温度，相应的所述真实温度记作第二真实温度；

根据公式计算所述预设温度对应的所述实际温度偏移量，所述公式为：

(预设温度+实际温度偏移量-第二真实温度)/(第一真实温度-第二真实温度)＝(预设温度-第二被校准温度)/(第一被校准温度-第二被校准温度)。

作为一种可实施方式，所述温控器根据所述实际温度偏移量和所述预设温度控制所述机台加热，包括如下步骤：

所述温控器根据所述预设温度与所述实际温度偏移量的和控制所述机台加热。