[发明专利]具有P型埋层的硅外延过程中抑制P型杂质自掺杂的工艺

权利要求书

1.一种具有P型埋层的硅外延过程中抑制P型杂质自掺杂的工艺，包括步骤：

A.提供硅片，作为制作半导体器件的衬底，所述硅片的表面注入形成有P型埋层和N型埋层，将所述硅片在低温和常压的环境下作烘烤；

B.将所述硅片在低温和常压的环境下作刻蚀，去除所述硅片的表面因之前形成所述P型埋层和所述N型埋层时所造成的损伤；

C.在常压的环境下于所述硅片的表面形成一层本征的顶盖层；以及

D.在减压的环境下于所述顶盖层的表面生长外延层。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，在上述步骤A和步骤B中，所述低温是指温度为1080～1120℃。

3.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于，在上述步骤A、步骤B和步骤C中，所述常压是指气压为标准大气压。

4.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，在上述步骤D中，所述减压是指气压为45～60托。

5.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于，所述P型埋层是指硼埋层，所述P型杂质是指硼原子；所述N型埋层是指锑埋层。

6.根据权利要求5所述的工艺，其特征在于，所述硅片为P型掺杂，其电阻率为35～40Ohm.cm。