[发明专利]一种垂直结构的高压LED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201410224864.1 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105280757A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 朱浩;刘国旭;邹灵威;曲晓东 | 申请（专利权）人： | 易美芯光（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区亦庄经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 高压 led 芯片 制备 方法 | ||
1.一种垂直结构的高压LED芯片的制备方法，包括；
在生长衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层，形成外延层；
在P型GaN层上蒸镀反射金属层、金属阻挡层和邦定金属层；
将所述蒸镀有反射金属层的外延层邦定在高阻硅基板上，去除生长衬底和缓冲层，暴露出N型GaN层；
其特征在于，刻蚀GaN层至暴露高阻硅基板形成沟槽以产生多个分立的管芯；
刻蚀所述每个分立管芯上暴露的GaN层的部分区域至暴露出金属阻挡层，形成P电极焊盘区，在未被刻蚀的GaN层上形成N电极焊盘区；
在相邻管芯的P电极焊盘区和N电极焊盘区之间沉积一层绝缘层，其中所述绝缘层覆盖了N电极焊盘区和P电极焊盘区的侧壁并延伸至高阻硅基板；
在所述P电极焊盘区蒸镀P电极金属形成P电极，在N电极焊盘区蒸镀N电极金属形成N电极；
在相邻管芯的N电极和P电极之间沉积一层连接层，所述连接层连接相邻管芯的N电极和P电极，形成高压芯片。
2.根据权利要求1所述的一种垂直结构的高压LED芯片的制备方法，其特征在于所述刻蚀是采用ICP或RIE干法刻蚀。
3.根据权利要求1所述的一种垂直结构的高压LED芯片的制备方法，其特征在于所述沟槽的深度为2.5um-7um。
4.根据权利要求1所述的一种垂直结构的高压LED芯片的制备方法，其特征在于所述生长衬底为下列中的一种：蓝宝石、硅、碳化硅。
5.根据权利要求1所述的一种垂直结构的高压LED芯片的制备方法，其特征在于所述绝缘层的材料为下列中的一种或多种：SiO2、SiN、Al2O3。
6.根据权利要求1所述的一种垂直结构的高压LED芯片的制备方法，其特征在于所述连接层的材料为下列中的一种或多种：铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、石墨烯、金属。
7.根据权利要求1所述的一种垂直结构的高压LED芯片的制备方法，其特征在于所述连接层的厚度为3000?~50000?。
8.根据权利要求1所述的一种垂直结构的高压LED芯片的制备方法，其特征在于所述P电极金属和N电极金属的材料分别为下列中的一种：Al/Pt/Au、Ag/Pt/Au、Ni/Ag/Pt/Au、TiW/Pt/Au、Ti/Ag/Pt/Au、Ni/Al/Pt/Au、Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au。
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