[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201410224723.X | 申请日: | 2014-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN104181729B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
| 发明(设计)人: | 今西泰雄;兵头洋祐;松井庆枝;园田英博;国松登 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 杨宏军,王大方 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示装置,具有:具备像素电极和TFT、且在像素之上形成有取向膜的TFT基板;和与所述TFT基板相对配置、且在所述TFT基板侧的最表面上形成有取向膜的对置基板,在所述TFT基板的取向膜和所述对置基板的取向膜之间夹持有液晶,所述液晶显示装置的特征在于,
所述取向膜是通过偏振光照射能够被赋予液晶取向限制力的疏水性的材料,
在取向膜表面具有构成所述取向膜的元素的比例朝向膜厚方向发生变化的层,所述取向膜表面的氧原子比例比取向膜内部高。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
构成所述取向膜的元素的比例朝向膜厚方向发生变化的层的、构成所述取向膜的氧的比例,从所述取向膜表面向所述取向膜内部平缓地减少。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述元素的比例朝向膜厚方向发生变化的层中的氧浓度最高的位置处的氧比例,比氧浓度最低的位置处的氧比例高出25%以上。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述元素的比例朝向膜厚方向发生变化的层的厚度,是取向膜整体的厚度的50%以下。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述取向膜的表面凹凸的大小以均方根计为1nm以下。
6.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述取向膜是光分解型的光取向膜。
7.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述取向膜是包含化1给出的聚酰亚胺的光分解型的光取向膜,在此,括号[]中为重复单元的化学结构,角标文字n为重复单元的数量,N为氮原子,O为氧原子,A表示包含环丁烷环的4价的有机基团,D表示2价的有机基团,
8.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述取向膜由将2种层层叠而成的构造形成,是由能够进行光取向的光取向性的上层、和电阻率比所述光取向性的上层小的低电阻性的下层形成的2层构造。
9.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述液晶显示装置为IPS方式的液晶显示装置。
10.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述取向膜表面处的水的接触角为38度以上。
11.一种液晶显示装置的制造方法,其中该液晶显示装置具有:具备像素电极和TFT、且在像素之上形成有取向膜的TFT基板;和与所述TFT基板相对配置、且在所述TFT基板侧的最表面上形成有取向膜的对置基板,在所述TFT基板的取向膜和所述对置基板的取向膜之间夹持有液晶,所述方法的特征在于,具有以下工序:
准备包含所述像素电极和所述TFT的所述TFT基板的工序;
在所述TFT基板之上形成疏水性的所述取向膜的工序;以及
通过对所述取向膜照射紫外线以及对所述取向膜进行氧化处理,而使所述取向膜产生取向限制力,并且提高所述取向膜的表面的氧原子比例的工序。
12.如权利要求11所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,
所述取向膜的表面处的水的接触角为38度以上。
13.如权利要求11所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,
还包括以下工序:
准备所述对置基板的工序;
在所述对置基板之上形成疏水性的所述取向膜的工序;以及
通过对所述取向膜照射紫外线以及对所述取向膜进行氧化处理,使所述取向膜产生取向限制力,并且在维持疏水性的状态下提高所述取向膜的表面的氧原子比例的工序。
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