[发明专利]半导体层表面粗化方法及具有表面粗化的LED结构形成方法在审
| 申请号： | 201410223412.1 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105097441A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/60;H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 方法 具有 led 结构 形成 | ||
1.一种半导体层表面粗化方法，其特征在于，包括以下步骤：
在所述半导体层之上形成固态的金属或合金薄膜；
在高于所述金属或合金熔点的预设温度下退火预设时间，以使所述金属或合金薄膜液化为多个金属或合金液滴，然后降温至所述金属或合金的熔点以下，以使所述多个金属或合金液滴冷凝为多个金属或合金岛状凸起；
以所述多个金属或合金岛状凸起为掩膜层，在所述半导体层的顶部刻蚀出凹凸结构以形成粗化表面；
去除所述多个金属或合金岛状凸起。
2.根据权利要求1所述的半导体层表面粗化方法，其特征在于，所述金属或合金的材料为：金、银、铜、铝、锡、锌、银铅合金、铜铝合金、锡锌合金或银锡合金。
3.根据权利要求1所述的半导体层表面粗化方法，其特征在于，所述金属或合金薄膜的厚度为0.2-5nm。
4.根据权利要求1所述的半导体层表面粗化方法，其特征在于，所述预设温度高于所述金属或合金的熔点10-50℃。
5.根据权利要求1所述的半导体层表面粗化方法，其特征在于，所述预设时间为10-100min。
6.根据权利要求1所述的半导体层表面粗化方法，其特征在于，通过溅射或蒸镀形成所述金属或合金薄膜。
7.根据权利要求1所述的半导体层表面粗化方法，其特征在于，通过ICP干法刻蚀出所述凹凸结构。
8.根据权利要求1所述的半导体层表面粗化方法，其特征在于，所述粗化表面的粗糙度为6-600nm。
9.根据权利要求1所述的半导体层表面粗化方法，其特征在于，通过湿化学腐蚀去除所述多个金属或合金岛状凸起。
10.一种具有表面粗化的LED结构形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底之上形成第一掺杂类型半导体层；
在所述第一掺杂类型半导体层之上形成多量子阱层；
在所述多量子阱层之上形成第二掺杂类型半导体层；
采用权利要求1-9中任一项所述的方法对所述第二掺杂类型半导体层的顶部进行表面粗化；
形成第一电极和第二电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
