[发明专利]一种应用于半导体照明的YAG荧光粉及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410223326.0 申请日: 2014-05-26
公开(公告)号: CN104046357A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 樊先平;吴立昂;乔旭升;吴一民;万军 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 韩介梅
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 半导体 照明 yag 荧光粉 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种应用于半导体照明的YAG荧光粉,其特征在于它是由Y3Al5O12:Ce3+微球构成的粉体,微球直径为1~2μm。

2.制备权利要求1所述的应用于半导体照明的YAG荧光粉的方法,包括如下步骤:

1) 按质量比结晶氯化铝:六水合氯化钇:六水合氯化铈:乙醇:去离子水:甲酰胺:1,2-环氧丙烷= 1:0.46:0.07~0.14:0.85~1.82:0.62~1.85:0.35~0.70:0.77~1.79,称取结晶氯化铝、六水合氯化钇、六水合氯化铈、乙醇、去离子水、甲酰胺和1,2-环氧丙烷;

2)在15~25℃恒温水浴的条件下,将步骤1)中的结晶氯化铝、六水合氯化钇和六水合氯化铈充分溶解于去离子水、乙醇和甲酰胺的混合溶液中,然后加入1-2环氧丙烷,充分搅拌混合后放入密封容器中,再在50~60℃恒温条件下保温至混合溶液形成凝胶;

3)将凝胶于60~90℃恒温条件下干燥6~24小时,然后研磨分散,将其在500~700℃下处理2~6小时,再在还原性气氛下于800~1200℃烧结2~8小时,得到YAG荧光粉。

3.根据权利要求2所述的制备应用于半导体照明的YAG荧光粉的方法,其特征在于所述的还原性气氛为H2和N2按体积比为1:19混合的气体。

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