[发明专利]一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型VDMOS器件的制造方法，其特征在于，至少包括如下顺序进行的步骤：

在具有沟槽的硅衬底表面形成氧化层；

在所述氧化层表面形成不掺杂的第一多晶硅层；

去除所述沟槽外部的第一多晶硅层和所述沟槽内部的部分第一多晶硅，在所述沟槽底部保留部分第一多晶硅；

去除所述沟槽底部保留的部分第一多晶硅上方的氧化层；

在所述硅衬底表面形成栅氧化层；

在所述栅氧化层表面形成掺杂的第二多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括在所述硅衬底上形成体区和源区的步骤，所述体区位于所述沟槽底部保留的部分第一多晶硅的上方。

3.一种沟槽型VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下顺序进行的步骤：

在硅衬底的外延层内部形成沟槽；

在形成有所述沟槽的硅衬底表面形成氧化层；

在所述氧化层表面形成不掺杂的第一多晶硅层；

去除所述沟槽外部的第一多晶硅层和所述沟槽内部的部分第一多晶硅，在所述沟槽底部保留部分第一多晶硅；

去除所述沟槽底部保留的部分第一多晶硅上方的氧化层；

在所述硅衬底表面形成栅氧化层；

在所述栅氧化层表面形成掺杂的第二多晶硅层；

去除所述沟槽外部的第二多晶硅层，并在所述硅衬底的外延层内部形成体区和源区；

在形成有所述体区和源区的硅衬底上形成介质层、接触孔和金属层。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述沟槽的硅衬底表面形成氧化层，具体包括：在900～1100℃的温度下在形成有所述沟槽的硅衬底表面生长厚度为0.02～0.2um的氧化层。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述氧化层表面形成不掺杂的第一多晶硅层，具体包括：在500～700℃的温度下在所述氧化层表面生长厚度为0.2～0.8um的不掺杂的第一多晶硅层。

6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述硅衬底表面形成栅氧化层，具体包括：在900～1100℃的温度下在所述硅衬底表面生长厚度为0.02～0.2um的氧化层。

7.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述栅氧化层表面形成掺杂的第二多晶硅层，具体包括：在500～700℃的温度下在所述栅氧化层表面生长厚度为0.1～0.3um的掺杂的第二多晶硅层。

8.根据权利要求3至7任一所述的制造方法，其特征在于，所述在所述硅衬底的外延层内部形成体区，具体包括：向所述硅衬底注入P型离子并退火，在所述硅衬底的外延层内部形成体区，所述体区位于所述沟槽底部保留的部分第一多晶硅的上方；其中，所述P型离子的能量为80～120KeV，剂量为1013～1014/cm2，所述退火的温度为1100～1200℃，时间为50～200分钟。

9.根据权利要求3至7任一所述的制造方法，其特征在于，所述在所述硅衬底的外延层内部形成源区，具体包括：在所述硅衬底表面形成具有源区图形的掩膜并注入N型离子，在所述硅衬底的外延层内部形成源区，所述N型离子的能量为100～150KeV，剂量为1015～1016/cm2。

10.一种沟槽型VDMOS器件，其特征在于，包括硅衬底，在所述硅衬底上设有沟槽，其特征在于，在所述沟槽底部的内表面设有氧化层，在所述氧化层表面设有不掺杂的第一多晶硅层，在所述沟槽底部上方的内表面和所述第一多晶硅层表面设有栅氧化层，在所述栅氧化层表面设有掺杂的第二多晶硅层。