[发明专利]面板功能测试电路、显示面板及功能测试、静电防护方法在审

专利信息
申请号: 201410222852.5 申请日: 2014-05-23
公开(公告)号: CN104021747A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 李付强;李成;安星俊 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: G09G3/00 分类号: G09G3/00;G02F1/13
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 面板 功能 测试 电路 显示 静电 防护 方法
【权利要求书】:

1.一种面板功能测试电路,其特征在于,包括与显示面板的同一条数据线电连接的第一子电路和第二子电路;

所述第一子电路和所述第二子电路,用于为测试状态的显示面板的所述数据线提供测试信号;或者,用于对工作状态的显示面板的所述数据线传输的静电信号进行静电放电。

2.如权利要求1所述的面板功能测试电路,其特征在于,所述第一子电路具体用于,根据其第一端接入的第一控制信号和其第二端接入的所述测试信号,由其第三端向所述数据线提供所述测试信号;或者,根据其第一端接入的第二控制信号和其第二端接入的第一电平信号,对其第三端接收的所述数据线传输的高电平静电信号进行放电;

所述第二子电路具体用于,根据其第一端接入的所述第二控制信号和其第二端接入的测试信号,由其第三端向所述数据线提供所述测试信号;或者,根据其第一端接入的所述第一控制信号和其第二端接入的第二电平信号,对其第三端接收的所述数据线传输的低电平静电信号进行放电。

3.如权利要求2所述的面板功能测试电路,其特征在于,所述第一子电路包括第一晶体管,所述第二子电路包括第二晶体管;

所述第一晶体管的栅极为所述第一子电路的第一端,其源极为所述第一子电路的第二端,其漏极为所述第一子电路的第三端;

所述第二晶体管的栅极为所述第二子电路的第一端,其源极为所述第二子电路的第二端,其漏极为所述第二子电路的第三端。

4.如权利要求3所述的面板功能测试电路,其特征在于,所述第一晶体管为PMOS晶体管,所述第二晶体管为NMOS晶体管。

5.如权利要求4所述的面板功能测试电路,其特征在于,所述第一控制信号为低电平信号,所述第二控制信号为高电平信号;

所述第一电平信号为高电平信号,所述第二电平信号为低电平信号。

6.一种显示面板,包括多条数据线,其特征在于,包括如权利要求1至5任一项所述的功能测试电路。

7.一种显示面板的功能测试方法,采用如权利要求1至5任一项所述的功能测试电路,其特征在于,包括:

由第一子电路的第一端输入第一控制信号,其第二端输入测试信号,其第三端为显示面板的数据线提供所述测试信号;和/或,

由第二子电路的第一端输入第二控制信号,其第二端输入测试信号,其第三端为显示面板的数据线提供所述测试信号。

8.如权利要求7所述的功能测试方法,其特征在于,所述第一子电路为PMOS晶体管,由第一子电路的第一端输入第一控制信号,其第二端输入测试信号,其第三端为显示面板的数据线提供所述测试信号,具体包括:

由所述PMOS晶体管的栅极输入所述第一控制信号,其源极输入所述测试信号,所述漏极为显示面板的所述数据线提供所述测试信号。

9.如权利要求7所述的功能测试方法,其特征在于,所述第二子电路为NMOS晶体管,由第二子电路的第一端输入第二控制信号,其第二端输入测试信号,其第三端为显示面板的数据线提供所述测试信号,具体包括:

由所述NMOS晶体管的栅极输入所述第二控制信号,其源极输入所述测试信号,所述漏极为显示面板的所述数据线提供所述测试信号。

10.如权利要求7至9任一项所述的功能测试方法,其特征在于,所述第一控制信号为低电平信号,所述第二控制信号为高电平信号。

11.一种显示面板的静电防护方法,采用如权利要求2至5任一项所述的功能测试电路,其特征在于,包括:

由所述功能测试电路的第一子电路的第一端输入用于控制所述第一子电路关断的第二控制信号,其第二端输入第一电平信号;以及,由所述第二子电路的第一端输入用于控制所述第二子电路关断的第一控制信号,其第二端输入第二电平信号;

当所述数据线传输的静电信号到来时,所述第一子电路或所述第二子电路对所述静电信号进行静电放电。

12.如权利要求11所述的的静电防护方法,其特征在于,所述第一子电路为PMOS晶体管,所述第二子电路为NMOS晶体管;

所述第一控制信号为低电平信号,所述第二控制信号为高电平信号;

所述第一电平信号为高电平信号,所述第二电平信号为低电平信号。

13.如权利要求12所述的的静电防护方法,其特征在于,当所述数据线传输的静电信号到来时,所述第一子电路或所述第二子电路对所述静电信号进行静电放电,包括:

若所述静电信号为高电平静电信号,且所述静电信号的电平大于所述第二控制信号的电平,所述第一子电路对所述静电信号进行静电放电;

若所述静电信号为低电平静电信号,且所述静电信号的电平小于所述第一控制信号的电平,所述第二子电路对所述静电信号进行静电放电。

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