[发明专利]一种新型晶体管小信号等效电路模型

权利要求书

1.一种新型晶体管小信号等效电路模型，包含寄生部分和本征部分，其特征在于，

所述新型晶体管小信号等效电路模型的寄生部分包含极内寄生电容元件，本征部分包含本征电感元件。

2.根据权利要求1所述新型晶体管小信号等效电路模型，其特征在于，

所述新型晶体管小信号等效电路模型的晶体管属于场效应晶体管，所述新型晶体管小信号等效电路模型包括寄生部分和本征部分，其中，寄生部分包括栅极寄生单元、漏极寄生单元、栅漏极间寄生单元、源极寄生单元，本征部分包括栅源极间本征单元、栅漏极间本征单元、漏源极间本征单元；

所述极内寄生电容元件包含于栅极寄生单元、漏极寄生单元、源极寄生单元中的一者、两者或三者；

所述本征电感元件包含于栅源极间本征单元、栅漏极间本征单元、漏源极间本征单元中的一者、两者或三者；

所述栅极寄生单元位于栅极外节点(G)、栅极内节点(G′)之间，并与栅极外节点(G)、栅极内节点(G′)相连接；所述漏极寄生单元位于漏极外节点(D)、漏极内节点(D′)之间，并与漏极外节点(D)、漏极内节点(D′)相连接；所述源极寄生单元位于源极外节点(S)、源极内节点(S′)之间，并与源极外节点(S)、源极内节点(S′)相连接，且位于栅极寄生单元与漏极寄生单元之间，并与栅极寄生单元与漏极寄生单元相连接；所述栅漏极间寄生单元位于栅极寄生单元、漏极寄生单元之间，并与栅极寄生单元、漏极寄生单元相连接；

所述栅源极间本征单元位于栅极内节点(G′)、源极内节点(S′)之间，并与栅极内节点(G′)、源极内节点(S′)相连接；所述栅漏极间本征单元位于栅极内节点(G′)、漏极内节点(D′)之间，并与栅极内节点(G′)、漏极内节点(D′)相连接；所述漏源极间本征单元位于漏极内节点(D′)、源极内节点(S′)之间，并与漏极内节点(D′)、源极内节点(S′)相连接。

3.根据权利要求1所述新型晶体管小信号等效电路模型，其特征在于，

所述新型晶体管小信号等效电路模型的晶体管属于双极型晶体管，所述新型晶体管小信号等效电路模型包括寄生部分、外部电阻部分和本征部分，其中，寄生部分包括基极寄生单元、集电极寄生单元、基极集电极极间寄生单元、发射极寄生单元，外部电阻部分包括基极外电阻、集电极电阻、发射极电阻，本征部分包括基极内电阻、基极集电极结外电容、基极发射极极间本征单元、基极集电极极间本征单元、集电极发射极极间本征单元；

所述极内寄生电容元件包含于基极寄生单元、集电极寄生单元、发射极寄生单元中的一者、两者或三者；

所述本征电感元件包含于基极发射极极间本征单元、基极集电极极间本征单元、集电极发射极极间本征单元中的一者、两者或三者；

所述基极寄生单元位于基极寄生节点(B)、基极外部电阻节点(B′)之间，并与基极寄生节点(B)、基极外部电阻节点(B′)相连接；所述集电极寄生单元位于集电极寄生节点(C)、集电极外部电阻节点(C′)之间，并与集电极寄生节点(C)、集电极外部电阻节点(C′)相连接；所述发射极寄生单元位于发射极寄生节点(E)、发射极外部电阻节点(E′)之间，并与发射极寄生节点(E)、发射极外部电阻节点(E′)相连接，且位于于基极寄生单元、集电极寄生单元之间，并与基极寄生单元与集电极寄生单元相连接；所述基极集电极极间寄生单元位于基极寄生单元、集电极寄生单元之间，并与基极寄生单元、集电极寄生单元相连接；

所述基极外电阻位于基极外部电阻节点(B′)、基极结外节点(B″)之间，并与基极外部电阻节点(B′)、基极结外节点(B″)相连接；所述集电极电阻位于集电极外部电阻节点(C′)、集电极结节点(C″)之间，并与集电极外部电阻节点(C′)、集电极结节点(C″)相连接；所述发射极电阻位于发射极外部电阻节点(E′)、发射极结节点(E″)之间，并与发射极电阻节点(E′)、发射极结节点(E″)相连接；

所述基极内电阻位于基极结外节点(B″)、基极结内节点(B″′)之间，并与基极结外节点(B″)、基极结内节点(B″′)相连接；所述基极集电极结外电容位于基极结外节点(B″)、集电极结节点(C″)之间，并与基极结外节点(B″)、集电极结节点(C″)相连接；所述基极发射极极间本征单元位于基极结内节点(B″′)、发射极结节点(E″)之间，并与基极结内节点(B″′)、发射极结节点(E″)相连接；所述基极集电极极间本征单元位于基极结内节点(B″′)、集电极结节点(C″)之间，并与基极结内节点(B″′)、集电极结节点(C″)相连接；所述集电极发射极极间本征单元位于集电极结节点(C″)、发射极结节点(E″)之间，并与集电极结节点(C″)、发射极结节点(E″)相连接。