[发明专利]具有选择性发射极的异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种具有选择性发射极的异质结太阳能电池，其特征在于，它包括：

一N型晶体硅衬底(1)，其具有一正面和一背面；

一正面本征非晶硅层(2)，沉积在N型晶体硅衬底(1)的正面上；

一轻掺杂P型非晶硅层(3)，沉积在正面本征非晶硅层(2)的上表面上；

一正面透明导电膜层(4)，位于轻掺杂P型非晶硅层(3)的上表面上；

一正面银栅极(5)，位于正面透明导电膜层(4)的上表面上；

一重掺杂P型非晶硅层，作为选择性发射极，设置于正面透明导电膜层(4)和轻掺杂P型非晶硅层(3)的接触部位，其具有多个重掺杂P型非晶硅单体(6-1)，并且分别与正面银栅极(5)的栅线一一对应，分别位于相对应的栅线的正下方；

一背面本征非晶硅层(7)，沉积在N型晶体硅衬底(1)的背面上；

一重掺杂N型非晶硅层(8)，沉积在背面本征非晶硅层(7)的下表面上；

一背面透明导电膜层(9)，沉积在重掺杂N型非晶硅层(8)的下表面上；

一背面银栅极(10)，位于背面透明导电膜层(9)的下表面上。

2.根据权利要求1所述的具有选择性发射极的异质结太阳能电池，其特征在于：所述的正面透明导电膜层(4)和/或背面透明导电膜层(9)为ITO薄膜。

3.根据权利要求1所述的具有选择性发射极的异质结太阳能电池，其特征在于：所述的N型晶体硅衬底(1)的厚度为90～300μm。

4.根据权利要求1所述的具有选择性发射极的异质结太阳能电池，其特征在于：所述的正面本征非晶硅层(2)和/或背面本征非晶硅层(7)的厚度为3～15nm，禁带宽度为1.6～1.8eV。

5.根据权利要求1所述的具有选择性发射极的异质结太阳能电池，其特征在于：所述的轻掺杂P型非晶硅层(3)和/或重掺杂N型非晶硅层(8)的厚度为3～20nm，禁带宽度为1.7～1.9eV。

6.根据权利要求1所述的具有选择性发射极的异质结太阳能电池，其特征在于：所述的正面透明导电膜层(4)的厚度为60～90nm。

7.根据权利要求1所述的具有选择性发射极的异质结太阳能电池，其特征在于：所述的背面透明导电膜层(9)的厚度为80～150nm。

8.根据权利要求1所述的具有选择性发射极的异质结太阳能电池，其特征在于：所述的重掺杂P型非晶硅层的厚度为3～20nm，禁带宽度为1.7～1.9eV，重掺杂P型非晶硅单体(6-1)的宽度为20～150μm。

9.一种如权利要求1所述的具有选择性发射极的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，选择性发射极的制作步骤如下：

a)在轻掺杂P型非晶硅层(3)的上表面上沉积一层重掺杂的P型非晶硅；

b)在该重掺杂的P型非晶硅的上表面上制备多个掩膜体(11)，保证掩膜体(11)分别与所要制备的正面银栅极(5)的栅线一一对应，并且分别位于相对应的栅线的正下方；

c)通过反应离子刻蚀法，刻蚀掉除掩膜体(11)下方之外的重掺杂的P型非晶硅，留下重掺杂P型非晶硅单体(6-1)，形成作为选择性发射极的重掺杂P型非晶硅层。

10.一种如权利要求1所述的具有选择性发射极的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，选择性发射极的制作步骤如下：

a)在轻掺杂P型非晶硅层(3)的上表面上制备多个掩膜体(11)，保证相邻的掩膜体(11)之间形成的区域(11-1)与所要制备的正面银栅极(5)的栅线一一对应，并且所形成的区域(11-1)分别位于相对应的栅线的正下方；

b)在轻掺杂P型非晶硅层(3)的上表面上沉积重掺杂的P型非晶硅，从而在相邻的掩膜体(11)之间形成的区域(11-1)内得到重掺杂P型非晶硅单体(6-1)，形成作为选择性发射极的重掺杂P型非晶硅层。