[发明专利]一种氮化物发光二极管组件的制备方法有效
| 申请号： | 201410215285.0 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103996755A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 董木森;申利莹;王笃祥;王良均;刘晓峰 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 组件 制备 方法 | ||
1.一种氮化物发光二极管组件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）提供一过渡衬底；
（2）在所述过渡衬底上依次生长P型半导体层和第一键合层；
（3）提供一永久衬底；
（4）在所述永久衬底上依次生长N型半导体层、发光层和第二键合层；
（5）将生长有P型半导体层的过渡衬底以及生长有N型半导体层、发光层的永久衬底，通过第一键合层和第二键合层进行键合。
2.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管组件的制备方法，其特征在于：所述第一键合层/第二键合层材料为Al1-x-yGa xInyN层，其中0≦x＜1，0≦y＜1。
3.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管组件的制备方法，其特征在于：所述键合方式选用直接键合或介质键合或其组合。
4.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管组件的制备方法，其特征在于：所述直接键合为热键合或低温真空键合。
5.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管组件的制备方法，其特征在于：将所述第一键合层和第二键合层进行键合后，去除过渡衬底。
6.根据权利要求5所述的氮化物发光二极管组件的制备方法，其特征在于：还包括去除过渡衬底后，再通过蚀刻工艺暴露出部分N型半导体层，分别在P型半导体层和裸露的N型半导体层上制作P电极和N电极。
7.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管组件的制备方法，其特征在于：所述过渡衬底/永久衬底选用氧化铝单晶（Sapphire）或SiC（6H-SiC或4H-SiC）或Si或GaAs 或GaN或其组合。
8.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管组件的制备方法，其特征在于：所述P型半导体层包括P型接触层、P型层和电子阻挡层。
9.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管组件的制备方法，其特征在于：在所述过渡衬底和P型半导体层之间包括透明导电层。
10.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管组件的制备方法，其特征在于：在所述永久衬底和N型半导体层之间包括缓冲层。
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