[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法

权利要求书

1.一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法，其特征在于，包括：

在样品上形成透明导电氧化物薄膜；

在所述透明导电氧化物薄膜上通过压印和第一刻蚀处理形成具有纳米图形的掩膜层；

以所述具有纳米图形的掩膜层作为遮挡体，对所述透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理；

清除经过第二刻蚀处理后的透明导电氧化物薄膜上的掩膜层的纳米图形，得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述透明导电氧化物薄膜上通过压印和第一刻蚀处理形成具有纳米图形的掩膜层，具体包括：

在所述透明导电氧化物薄膜上利用可塑形材料形成掩膜层薄膜；

利用具有与所述纳米图形互补图形的模具，对所述掩膜层薄膜进行压印处理，得到具有凹凸图案的掩膜层薄膜；

对具有凹凸图案的掩膜层薄膜进行第一刻蚀处理，使所述凹凸图案中的凹陷区域暴露出透明导电氧化物薄膜后，得到具有纳米图形的掩膜层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用具有与所述纳米图形互补图形的模具，对所述掩膜层薄膜进行压印处理，得到具有凹凸图案的掩膜层薄膜，具体包括：

将所述掩膜层薄膜加热至所述可塑形材料的玻璃态转换温度以上；

利用所述模具以预设压力按压加热后的掩膜层薄膜第一预设时长；

在所述掩膜层薄膜自然冷却至室温后，取下所述模具，得到具有凹凸图案的掩膜层薄膜。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掩膜层薄膜的厚度为40nm-100nm，所述预设压力在单位面积内的压强为0.1MPa-30MPa，所述第一预设时长为10min-60min。

5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述可塑形材料为聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用具有与所述纳米图形互补图形的模具，对所述掩膜层薄膜进行压印处理，得到具有凹凸图案的掩膜层薄膜，具体包括：

利用所述模具按压所述掩膜层薄膜；

对按压有所述模具的掩膜层薄膜进行第二预设时长的曝光固化处理；

从经过曝光固化处理后的掩膜层薄膜上取下所述模具，得到具有凹凸图案的掩膜层薄膜。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述掩膜层薄膜的厚度为400nm-1000nm，所述第二预设时长为1min-5min。

8.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述可塑形材料为光刻胶。

9.如权利要求1-4、6、7任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理，具体包括：

采用干法刻蚀处理和/或湿法刻蚀处理对所述透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述采用干法刻蚀处理对所述透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理，具体包括：

将所述透明导电氧化物薄膜放入干法刻蚀反应装置中；

对所述干法刻蚀反应装置进行抽真空处理后，向所述干法刻蚀反应装置内通入刻蚀气体；

在所述干法刻蚀反应装置中将所述刻蚀气体转换为等离子体后，采用等离子体轰击和/或注入的方式，对所述透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体为氯化硼、乙烯、氯气、甲烷、氢气或氩气中的一种或组合。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述采用湿法刻蚀处理对所述透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理，具体包括：

将所述透明导电氧化物薄膜放入刻蚀溶液中，对所述透明导电氧化物薄膜进行第二刻蚀处理。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、氯化铵或氯化铁中的一种或组合。

14.如权利要求1-4、6、7任一项所述的方法，其特征在于，所述清除经过第二刻蚀处理后的透明导电氧化物薄膜上的掩膜层的纳米图形，具体包括：

利用有机溶剂对所述经过第二刻蚀处理后的透明导电氧化物薄膜进行兆声清洗，清除所述掩膜层的纳米图形。