[发明专利]一种锗晶体码盘分划工艺在审
| 申请号: | 201410211244.4 | 申请日: | 2014-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN103955114A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
| 发明(设计)人: | 苏颖;陈俊霞;张勇;张成群;龚涛;赵科兵;赵淑君 | 申请(专利权)人: | 河南平原光电有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G01D5/347 |
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| 地址: | 454001 河南省焦*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶体 码盘分划 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种锗晶体码盘分划工艺,属于光学加工技术领域。
背景技术
光学码盘是光学轴角编码器的角度基准光学元件,是实现模-数转换(A/D转换)的有效工具之一,是信息场形成的关键零件。激光通过码盘上的光栅通道,形成信息场的调制频率。采用CO2激光器的激光驾束制导仪,工作波长为10.6μm,码盘需用锗晶体基底来制作。锗基底码盘的加工及检测是一项新的工艺课题。锗码盘的制作主要包括:光坯的加工—码盘图案的制作—镀膜等制作过程。锗晶体光坯的加工及红外增透膜的镀制在国内有成熟工艺,但却鲜少有分划图案的制作技术。
采用普通分划制作工艺:光刻胶:正性光刻胶;工艺流程为:镀铬→涂胶→前烘→曝光→中烘→显影→后烘→腐蚀→去胶→检验零件各项技术要求→转下一道工序。按此工艺加工后,锗晶体光坯上直接镀上铬后,铬膜与锗结合非常牢固,码盘图案透光区脱铬非常困难,最终锗晶体光坯表面无任何图案。
发明内容
本发明目的就在于克服上述不足,提供一种锗晶体码盘分划工艺。
为实现上述目的,本发明是通过以下技术方案来实现:一种锗晶体码盘分划工艺,其工艺流程为:涂胶→前烘→曝光→中烘→显影→后烘→清洗→镀铬→去胶→检验。
进一步,作为一种优化方案,所述的前烘、中烘、后烘三道工序均为放入烘箱烘干后取出放入暗室中自然冷却。
进一步,作为一种优化方案,所述的涂胶工序中采用的胶为负性光刻胶。
本发明的有益效果是:解决了锗晶体码盘图案的制作技术难题,在锗晶体光坯上制作出明暗对比度大、图案边缘不均匀性小的码盘图案,激光通过码盘上的光栅通道,形成信息场的调制频率,满足激光驾束制导仪的使用。该方法对晶体分划元件的制作具有很好的推广应用价值。可广泛应用于光学仪器分划元件的加工,可用于航天、航空、激光驾束制导系统、红外产品光学系统等。在锗晶体光坯上制作出明暗对比度大、图案边缘不均匀性小的码盘图案。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明:
实施例1:如图1流程所示,φ58mm×3mm的锗晶体码盘,锗晶体光坯表面涂上负性光刻胶,放入烘箱进行前烘后取出,暗室自然冷却,曝光,放入烘箱进行中烘,暗室自然冷却,再放入显影液显影后,进行后烘,暗室自然冷却,清洗零件,镀制铬膜,去胶,检验图形、指标符合要求,转下一道工序真空镀膜。
本发明采取上述技术方案以后,对零件进行了观察和测量,图案边缘比较整齐,不均匀性最大为0.008mm。透过率测量:在波长10.6μm处,透光区和不透光区的透过率测量结果如下:不透光区透过率是6.633%,透光区透过率是48.806%。结果表明,在锗晶体表面形成明暗对比度大、图案边缘不均匀性小于0.008mm的码盘图形。
需要注意的是,上述具体实施例仅仅是示例性的,在本发明的上述教导下,本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形,而这些改进或者变形落在本发明的保护范围内。
本领域技术人员应该明白,上面的具体描述只是为了解释本发明的目的,并非用于限制本发明。本发明的保护范围由权利要求及其等同物限定。
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