[发明专利]硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池，包括基片，其特征在于，还包括顶层N型氧化锌薄膜、底层N型氧化锌薄膜、顶层P型硫化亚锡薄膜、底层P型硫化亚锡薄膜及铝电极，顶层N型氧化锌薄膜设置在基片上方，顶层P型硫化亚锡薄膜设置在顶层N型氧化锌薄膜上方，底层N型氧化锌薄膜设置在顶层P型硫化亚锡薄膜上方，底层P型硫化亚锡薄膜设置在底层N型氧化锌薄膜上方，铝电极设置在底层P型硫化亚锡薄膜上方。

2.根据权利要求1所述硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池，其特征在于，所述基片为掺氟二氧化锡透明导电玻璃或ITO玻璃，

所述掺氟二氧化锡透明导电玻璃包括掺氟二氧化锡薄膜及玻璃层，所述掺氟二氧化锡薄膜设置在玻璃层上，顶层N型氧化锌薄膜设置在掺氟二氧化锡薄膜上方；

所述ITO玻璃包括氧化铟锡薄膜及玻璃层，所述氧化铟锡薄膜设置在玻璃层上，顶层N型氧化锌薄膜设置在氧化铟锡薄膜上方。

3.硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、清洗基片；

步骤2、在基片上制备顶层硫化亚锡-氧化锌PN结；

步骤3、在顶层硫化亚锡-氧化锌PN结上制备底层硫化亚锡-氧化锌PN结；

步骤4、在底层硫化亚锡-氧化锌PN结上制备铝电极。

4.根据权利要求3所述硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述基片为掺氟二氧化锡透明导电玻璃或ITO玻璃，

所述掺氟二氧化锡透明导电玻璃包括掺氟二氧化锡薄膜及玻璃层，所述掺氟二氧化锡薄膜设置在玻璃层上；

所述ITO玻璃包括氧化铟锡薄膜及玻璃层，所述氧化铟锡薄膜设置在玻璃层上。

5.根据权利要求4所述硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述在基片上制备顶层硫化亚锡-氧化锌PN结的方法为：

步骤21、在基片的掺氟二氧化锡薄膜或氧化铟锡薄膜上采用磁控溅射法制备顶层N型氧化锌薄膜；

步骤22、在顶层N型氧化锌薄膜上采用磁控溅射法制备顶层P型硫化亚锡薄膜。

6.根据权利要求5所述硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤21中，所述磁控溅射法的溅射功率为80W或120W或160W或200W，其沉积时间为20分钟或30分钟或40分钟或50分钟，其工作气压为2.0Pa或2.5Pa或3.0Pa或3.5Pa，工作温度为室温；

步骤22中，所述磁控溅射法的溅射功率为22W或24W或26W或28W，其沉积时间为10分钟或12分钟或14分钟或16分钟，其工作气压为2.2Pa或2.5Pa或2.7Pa或3.0Pa，工作温度为室温，顶层P型硫化亚锡薄膜的厚度为210nm～345nm。

7.根据权利要求5所述硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述在顶层硫化亚锡-氧化锌PN结上制备底层硫化亚锡-氧化锌PN结的方法为：

步骤31、在顶层P型硫化亚锡薄膜上采用磁控溅射法制备底层N型氧化锌薄膜；

步骤32、在底层N型氧化锌薄膜上采用磁控溅射法制备底层P型硫化亚锡薄膜。

8.根据权利要求7所述硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤31中，所述磁控溅射法的溅射功率为60W或100W或140W或180W，其沉积时间为25分钟或35分钟或45分钟或55分钟，其工作气压为2.0Pa或2.5Pa或3.0Pa或3.5Pa，工作温度为室温；

步骤32中，所述磁控溅射法的溅射功率为26W或28W或30W或32W，其沉积时间为13分钟或15分钟或17分钟或19分钟，其工作气压为2.2Pa或2.5Pa或2.7Pa或3.0Pa，工作温度为室温，底层P型硫化亚锡薄膜的厚度为255nm～395nm。

9.根据权利要求7所述硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤4中，所述在底层硫化亚锡-氧化锌PN结上制备铝电极的方法为：

步骤41、在底层P型硫化亚锡薄膜上采用磁控溅射法制备铝电极。

10.根据权利要求9所述硫化亚锡叠层薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤41中，所述磁控溅射法的溅射功率为20W或40W或60W或80W，其沉积时间为10分钟或15分钟或20分钟或25分钟，其工作气压为1.1Pa或1.3Pa或1.5Pa或1.7Pa，工作温度为室温。