[发明专利]芯片制造工艺和芯片在审
| 申请号： | 201410209548.7 | 申请日： | 2014-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN105097492A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 俞颖;江博渊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 制造 工艺 | ||
1.一种芯片制造工艺，其特征在于，包括对晶圆钝化层(10)进行平坦化处理。
2.根据权利要求1所述的芯片制造工艺，其特征在于，所述对晶圆钝化层(10)进行平坦化处理包括：
步骤S1：沉积以得到所述晶圆钝化层(10)的基础晶圆钝化层；
步骤S2：在所述基础晶圆钝化层上进一步沉积以得到第一增厚晶圆钝化层；
步骤S3：对所述第一增厚晶圆钝化层进行研磨。
3.根据权利要求2所述的芯片制造工艺，其特征在于，所述对晶圆钝化层(10)进行平坦化处理还包括在所述步骤S3之后的：
步骤S4：再进一步沉积以得到第二增厚晶圆钝化层；
步骤S5：对所述第二增厚晶圆钝化层进行研磨。
4.根据权利要求2所述的芯片制造工艺，其特征在于，所述第一增厚晶圆钝化层为氧化硅。
5.根据权利要求1所述的芯片制造工艺，其特征在于，所述芯片制造工艺还包括在所述对晶圆钝化层(10)进行平坦化处理后的：
步骤S10：对所述晶圆钝化层(10)进行刻蚀，以得到第一通孔(11)，芯片的焊垫(20)的一部分暴露在所述第一通孔(11)处；
步骤S20：在所述晶圆钝化层(10)上沉积金属层(30)，所述金属层(30)通过所述第一通孔(11)与所述焊垫(20)电连接。
6.根据权利要求5所述的芯片制造工艺，其特征在于，所述芯片制造工艺还包括在所述步骤S20之后的：
步骤S30：在所述金属层(30)上沉积封装钝化层(40)；
步骤S40：对所述沉积封装钝化层(40)进行刻蚀，以得到第二通孔(41)，所述金属层(30)的一部分暴露在所述第二通孔(41)处；
步骤S50：在所述第二通孔(41)处植入焊球(50)，所述焊球(50)通过所述第二通孔(41)与所述金属层(30)电连接。
7.根据权利要求1所述的芯片制造工艺，其特征在于，所述晶圆钝化层(10)的厚度大于1微米。
8.根据权利要求2所述的芯片制造工艺，其特征在于，所述第一增厚晶圆钝化层的厚度大于所述基础晶圆钝化层厚度的三分之一。
9.根据权利要求5所述的芯片制造工艺，其特征在于，所述金属层(30)的厚度为7.2至10.8微米。
10.根据权利要求6所述的芯片制造工艺，其特征在于，所述封装钝化层(40)的厚度为8.2至11.8微米。
11.一种芯片，其特征在于，所述芯片是由权利要求1至10中任一项所述的芯片制造工艺制造而成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
