[发明专利]激光勘查装置

权利要求书

1.一种激光勘查装置，发射用于现场勘查的光束，其特征在于，包括：

多个半导体激光单元(30)，以阵列方式设置在底座(10)上；

汇聚反射镜(40)，设置在半导体激光单元阵列上方以反射所述多个半导体激光单元(30)发射的激光汇聚到进光口(21)，经过设置在所述进光口(21)处的散射片进行混合，通过出光口(22)形成出射光束；和

调焦透镜部件(20)，设置在所述出光口(22)，调焦透镜部件(20)用于对所述出射光束的发射角度进行调节；

所述汇聚反射镜(40)朝向所述半导体激光单元(30)的一面为反射镜面(41)，所述反射镜面(41)呈阶梯状，所述反射镜面(41)每个阶梯面上均设置有多个抛物面反射镜(42)，所述抛物面反射镜(42)的数量与所述半导体激光单元(30)的数量相同，并且每个所述抛物面反射镜(42)与每个所述半导体激光单元(30)的位置一一对应以反射所述半导体激光单元(30)发射的激光；或者，所述汇聚反射镜(40)朝向所述半导体激光单元(30)的一面为反射镜面(41)，所述反射镜面(41)呈抛物面状。

2.根据权利要求1所述的激光勘查装置，其特征在于，

所述底座(10)具有按阵列分布的安装槽，所述半导体激光单元(30)设置在所述安装槽内；

所述半导体激光单元(30)包括：半导体激光管(301)和套设在所述半导体激光管(301)上的准直透镜(302)。

3.根据权利要求1所述的激光勘查装置，其特征在于，所述抛物面反射镜(42)的形状计算公式为：Y2＝2PX；其中，

P为抛物面系数，范围是100mm至500mm之间；

Y为所述抛物面凹陷部分的半径；

X为所述抛物面凹陷部分的深度。

4.根据权利要求1所述的激光勘查装置，其特征在于，呈抛物面状的所述反射镜面(41)的抛物面的计算公式为：Y2＝2PX；其中，

P为抛物面系数，范围是100mm至500mm之间；

Y为所述抛物面凹陷部分的半径；

X为所述抛物面凹陷部分的深度。

5.根据权利要求4所述的激光勘查装置，其特征在于，每个所述半导体激光单元(30)的激光发射方向对准呈抛物面状的所述反射镜面(41)的中心。

6.根据权利要求5所述的激光勘查装置，其特征在于，所述半导体激光单元(30)倾斜安装在所述底座(10)上，所述半导体激光单元(30)与所述底座(10)所在平面之间的安装角度为60度至120度。

7.根据权利要求1所述的激光勘查装置，其特征在于，所述激光勘查装置还包括冷却风扇(50)和电源(60)，所述冷却风扇(50)连接在所述底座(10)上，所述冷却风扇(50)朝向所述半导体激光单元(30)进行吹风，所述电源(60)通过导线连接所述半导体激光单元(30)。