[发明专利]利用湿法刻蚀法和反转印法制备高粘附性微纳米阵列结构薄膜的方法

权利要求书

1.一种利用湿法刻蚀法和反转印法制备高粘附性微纳米阵列结构薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：

    （1）硅片的清洗：依次用酒精、丙酮、双氧水和氨水的混合溶液超声清洗单晶硅片20-30分钟，再用双氧水和浓硫酸的混合溶液浸泡5-10小时；

    （2）硅片上沉积多孔银膜：以硝酸银/氢氟酸的混合水溶液作为沉银液，取步骤（1）中清洗过的硅片放入其中，室温25℃下静置沉积一定时间，得到表面生长有多孔银膜的硅片；

(3)硅片上“生长“所需的微纳米结构阵列：以步骤（2）制得的多孔银膜作为蚀刻催化金属，放入氢氟酸/双氧水溶液中或氢氧化钾/异丙醇溶液中，室温25℃下静置刻蚀一定时间，或将步骤（1）清洗后的硅片放入氢氧化钾/异丙醇溶液中，水浴80℃一定时间，得到表面带有微纳米阵列结构的模板硅片；

（4）去除银膜：将步骤（3）中制备出来的表面带有微纳米阵列结构的模板硅片放入浓硝酸中，浸泡1-2min，去除银膜，去离子水中清洗干净，自然晾干；  

   （5）高粘附性微纳米阵列结构薄膜的制备：将按一定配比混合均匀的有机物胶体均匀的涂覆在模板硅片上，在室温25℃下静置一定时间，待气泡析出及分布均匀后，将硅片放到加热板上，以一定温度加热一定时间，待胶完全凝固后，揭下胶体薄膜，即可把硅片上制备的微纳米阵列结构的反结构转印到胶体薄膜上，实现高粘附性微纳米阵列结构薄膜的制备。

2.根据权利要求1所述的利用湿法刻蚀法和反转印法制备高粘附性微纳米阵列结构薄膜的方法，其特征在于，所述的微纳米阵列结构可以为纳米线、纳米柱、纳米孔、微/纳米金字塔、纳米网格或纳米墙等。

3.据权利要求1所述的利用湿法刻蚀法和反转印法制备高粘附性微纳米阵列结构薄膜的方法，其特征在于，所述的模板硅片上微纳米阵列结构的参数可通过在硝酸银/氢氟酸的混合水溶液中的沉银时间及氢氟酸/双氧水溶液或氢氧化钾/异丙醇溶液中的蚀刻时间来进行精确调控，可以实现对有机物胶体薄膜上反结构参数的调控，进而实现对微纳米粘附阵列结构的粘度控制。

4.据权利要求1所述的利用湿法刻蚀法和反转印法制备高粘附性微纳米阵列结构薄膜的方法，其特征在于，所述的模板硅片可重复利用。

5.据权利要求1所述的利用湿法刻蚀法和反转印法制备高粘附性微纳米阵列结构薄膜的方法，其特征在于，所述的有机物胶体可以为有机物胶体或PDMS胶体。