[发明专利]一种多晶硅发射极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种多晶硅发射极晶体管的制作方法，在衬底上依次形成N型集电区、厚氧化层、P型基区和薄氧化层，其特征在于，在形成所述薄氧化层之后，还包括：

采用光刻、刻蚀工艺在所述薄氧化层中形成发射区窗口，暴露出位于发射区窗口区域的P型基区；

形成填充所述发射区窗口以及覆盖所述薄氧化层表面和所述厚氧化层表面的未掺杂的多晶硅层；

对所述未掺杂的多晶硅层进行刻蚀处理，去除所述发射区窗口区域之外的区域的未掺杂的多晶硅层，保留所述发射区窗口中的未掺杂的多晶硅层；

对所述发射区窗口中的未掺杂的多晶硅层进行掺杂，形成N型多晶硅发射极；

对形成有所述N型多晶硅发射极的衬底进行第一热处理，使所述N型多晶硅发射极中的掺杂元素扩散至暴露出的所述P型基区的表层之中，形成N型扩散区；

对形成有所述N型扩散区的衬底进行第二热处理。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述未掺杂的多晶硅层进行刻蚀处理，具体包括：

采用干法刻蚀工艺对所述未掺杂的多晶硅层进行刻蚀，直至所述薄氧化层表面上的未掺杂的多晶硅层和所述厚氧化层表面上的未掺杂的多晶硅层被完全刻蚀掉。

3.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，对形成有所述N型扩散区的衬底进行第二热处理，具体包括：

在温度为350℃～700℃的条件下，对形成有所述N型扩散区的衬底进行第二热处理30min～300min。

4.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，对形成有所述N型多晶硅发射极的衬底进行第一热处理，具体包括：

在温度为900℃～1150℃的条件下，对形成有所述N型多晶硅发射极的衬底进行第一热处理10s～200s。

5.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，对所述发射区窗口中的未掺杂的多晶硅层进行掺杂，具体包括：

采用离子注入的方式将掺杂元素注入到所述发射区窗口中的未掺杂的多晶硅层中。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述掺杂元素为磷、砷或锑。

7.一种多晶硅发射极晶体管，其特征在于，所述多晶硅发射极晶体管采用权利要求1至6中任一项所述的方法制成。