[发明专利]一种具有防腐结构的液体制冷型半导体激光器

权利要求书

1.一种具有防腐结构的液体制冷型半导体激光器，包括液体制冷器、半导体激光器芯片、正负极电极连接块，液体制冷器上表面设置有半导体激光器芯片，在液体制冷器上部设置正极连接块，在液体制冷器的下部设置负极连接块，液体制冷器上设置有入液孔和出液孔，其特征在于：还包括入液管，出液管，入液垫块，出液垫块，所述的入液管设置在正极连接块（或负极连接块）上与入液孔连接，出液管设置在正极连接块（或负极连接块）上与出液管连接，入液垫块设置在负极连接块（或正极连接块）上用于与液体制冷器上入液孔上部进行连接；出液垫块设置在负极连接块（或正极连接块）上用于与连接液体制冷器上出液孔上部进行连接。

2.根据权利要求1所述的具有防腐结构的液体制冷型半导体激光器，其特征在于：所述正极连接块（或负极连接块）上设置有一对连接孔，用于放置入液管和出液管，所述的入液管设置在正极连接块（或负极连接块）的一个连接孔上，用于连接液体制冷器入液孔；所述的出液管设置在正极连接块（或负极连接块）的另一个连接孔上，用于连接液体制冷器出液孔。

3.根据权利要求1或2所述的具有防腐结构的液体制冷型半导体激光器，其特征在于：入液管、出液管、入液垫块和出液垫块的材料选用耐腐蚀的材料，选用塑料、陶瓷等。

4.根据权利要求1所述的具有防腐结构的液体制冷型半导体激光器，其特征在于：液体制冷器表面设置扩散阻碍层，在扩散阻碍层表面之上设置粘附层，半导体激光器芯片通过焊料焊接在粘附层上，扩散阻碍层材料为金属镍，厚度为3μm - 6μm，粘附层材料为金，厚度为0.5μm - 1μm，液体制冷器内部设置有液体通道，通道孔径为100μm -300μm。

5.一种具有防腐结构的液体制冷型半导体激光器叠层阵列，其为N个焊接有半导体激光器芯片的液体制冷器叠加而成，N大于1，在最顶端液体制冷器上部设置正极连接块（或负极连接块），在最底端液体制冷器下部设置负极连接块（或正极连接块），液体制冷器上设置有入液孔和出液孔，其特征在于：还包括入液管，出液管，入液垫块，出液垫块，所述的入液管设置在正极连接块（或负极连接块）上与底端液体制冷器上的入液孔连接，所述的出液管设置在正极连接块（或负极连接块）上与底端液体制冷器上的出液管连接，所述的入液垫块设置在负极连接块（或正极连接块）上用于与顶端液体制冷器上入液孔上部进行连接；所述的出液垫块设置在负极连接块（或正极连接块）上用于与顶端液体制冷器上入液孔上部进行连接。

6.根据权利要求5所述的具有防腐结构的液体制冷型半导体激光器叠层阵列，其为N个焊接有半导体激光器芯片的液体制冷器叠加而成，N大于1，在最顶端液体制冷器上部设置正极电极连接块，在最底端液体制冷器下部设置负极连接块，其特征在于：所述的正极连接块（或负极连接块）上设置有一对连接孔，所述的入液管设置在正极连接块（或负极连接块）的一个连接孔上，用于连接液体制冷器入液孔；所述的出液管设置在正极连接块（或负极连接块）的另一个连接孔上，用于连接液体制冷器出液孔；所述的负极连接块（或正极连接块）上设置一对垫块沉槽， 所述的入液垫块设置在负极连接块（或正极连接块）一个垫块沉槽中用于与液体制冷器上入液孔上部进行连接；出液垫块设置在负极连接块（或正极连接块）上另一个垫块沉槽中，用于与连接液体制冷器上出液孔上部进行连接。

7.根据权利要求5或6所述的具有防腐结构的液体制冷型半导体激光器，其特征在于：入液管、出液管、入液垫块和出液垫块的材料为耐腐蚀的材料，为塑料、陶瓷。

8.根据权利要求5所述的具有防腐结构的液体制冷型半导体激光器，其特征在于：所述的液体制冷器表面设置扩散阻碍层，在扩散阻碍层之上设置粘附层，半导体激光器芯片通过焊料焊接在粘附层上，扩散阻碍层材料为金属镍，厚度为3μm - 6μm，粘附层材料为金，厚度为0.5μm  - 1μm，液体制冷器内部设置有液体通道，通道孔径为100μm -300μm。