[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；其特征在于，所述有源层的材料为高简并半导体。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的厚度为5～20nm。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极与所述有源层通过同一次构图工艺制备得到，且所述源极和所述漏极与所述有源层不同层设置。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极与所述有源层同层且一体设置；

其中，所述源极和所述漏极的材料为高简并半导体。

5.根据权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述高简并半导体包括第Ⅳ族元素的高简并半导体、或二元化合物的高简并半导体、或三元及以上化合物的高简并半导体。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括：

(1)权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管；

(2)电极结构。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

所述电极结构包括与所述薄膜晶体管的漏极电连接的第一电极；

其中，所述第一电极为像素电极，所述阵列基板用于驱动液晶；

或所述第一电极为阳极，所述阵列基板还包括位于所述阳极上方的有机材料功能层和阴极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在源极和漏极与有源层同层设置，且材料均为高简并半导体的情况下，所述第一电极与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层且一体设置；

其中，所述第一电极的材料为高简并半导体。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一电极为像素电极的情况下，所述阵列基板还包括公共电极。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6至9任一项所述的阵列基板。

11.一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；其特征在于，所述有源层的材料为高简并半导体。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述有源层的厚度为5～20nm。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述源极和所述漏极与所述有源层通过同一次构图工艺形成，具体包括：

依次形成高简并半导体薄膜、以及金属薄膜，并在所述金属薄膜上形成光刻胶；

采用半阶掩模板或灰阶掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分至少对应待形成的所述源极和所述漏极的区域，所述光刻胶半保留部分对待形成所述源极和所述漏极之间的区域，所述光刻胶完全去除部分对应其他区域；

采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的所述金属薄膜和所述高简并半导体薄膜；

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶，并刻蚀所述源极和所述漏极之间区域的所述金属薄膜，形成所述源极和所述漏极、以及所述有源层；

采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述源极和所述漏极与所述有源层通过同一次构图工艺形成，具体包括：

形成所述高简并半导体薄膜，并在所述高简并半导体薄膜上形成光刻胶；

采用普通掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分至少对应待形成的所述有源层、所述源极和所述漏极区域，所述光刻胶完全去除部分对应其他区域；

采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的所述高简并半导体薄膜，形成所述源极和所述漏极、以及所述有源层；

采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

15.根据权利要求11至14任一项所述的方法，其特征在于，所述高简并半导体包括第Ⅳ族元素的高简并半导体、或二元化合物的高简并半导体、或三元及以上化合物的高简并半导体。