[发明专利]彩色显示装置的像素排列在审
| 申请号: | 201410203645.5 | 申请日: | 2014-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN104009063A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
| 发明(设计)人: | 施立伟;戴翊祐;陈泽槿;杨学炎 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 彩色 显示装置 像素 排列 | ||
技术领域
本发明是有关于显示科技,且特别是有关于彩色显示装置及其像素排列。
背景技术
现今主动矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode;AMOLED)已广泛使用为显示装置。AMOLED显示装置为一高效率显示装置,其具有等可操作于相对低温下、使用低电压和具快速反应时间等优点,并能商业生产大尺寸和广视角显示装置。
典型的彩色AMOLED显示装置一般采用RGB颜色模型,其配置以通过混合红色、绿色和蓝色等三原色来显示广泛的色彩。通常,AMOLED显示装置包含形成于一矩阵的多个像素,其中每一个像素包含三个次像素(Subpixels)。每一个次像素代表配置以显示红色、绿色和蓝色其中一者的发光区域,且跟其他次像素分离以避免色彩混合的问题。
一般而言,可通过使用金属遮罩(Metal Shadow Mask)的蒸镀沉积来制作次像素。具体而言,金属遮罩被置放于薄膜晶体管(Thin-Film Transistor;TFT)基板下,以使每一个RGB颜色的次像素材料可通过蒸镀沉积在次像素的位置上而形成次像素。然而,蒸镀沉积为高温工艺,其在次像素的生产过程中会产生热,且在生产工艺中金属遮罩可能因热膨胀或重力而变形。因此,准确置放金属遮罩是困难的,其限制了每一个像素中的次像素的准确定位。此限制产生像素尺寸的最小门槛值,且更限制了AMOLED显示装置的每英吋像素个数(Pixel per Inch;PPI)。
因此,本技艺迄今存在尚未解决的需求,以解决上述缺点和不足。
发明内容
在一态样中,本发明是有关于一彩色显示装置。在一实施例中,此彩色显示装置包含排列于具M行和N列的矩阵中的多个像素P(i,j),其中i=1,2…,M,j=1,2…,N,且M和N为正整数。矩阵的第i行定义出多组像素对,每一组像素对包含二像素P(i,j)和P(i,j+1),其中若i为奇数则j为奇数,且若i为偶数则j为偶数。每一组像素对具有五个次像素(Subpixels),这些次像素包含配置以显示第一色彩且对称地跨越像素P(i,j)和P(i,j+1)的第一次像素、配置以显示第二色彩且分别对称地位于像素P(i,j)和P(i,j+1)中的一对第二次像素、以及配置以显示第三色彩且分别对称地位于像素P(i,j)和P(i,j+1)中的一对第三次像素。其中第一次像素位于此对第二次像素之间。
在一实施例中,上述彩色显示装置为一彩色主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示装置。
在一实施例中,在上述每一组像素对中,第一次像素具有沿着行的第一长度和沿着列的第一宽度,每一第二次像素具有沿着行的第二长度和沿着列的第二宽度,其中第二长度小于第一长度,且每一第三次像素具有沿着行的第三长度和沿着列的第三宽度。
在一实施例中,上述第三长度大于上述第二长度。
在一实施例中,若上述i为偶数,则第i行的第一像素P(i,1)和最后一像素P(i,N)分别具有三个次像素,这些次像素包含上述第一次像素、上述第二次像素和上述第三次像素,其中第一次像素位于上述矩阵的边缘。
本发明的另一态样是有关于彩色显示装置。在一实施例中,彩色显示装置包含排列于具M行和N列的矩阵中的多个像素P(i,j),其中i=1,2…,M,j=1,2…,N,且M和N为正整数。矩阵的第j列定义出多组像素对,每一组像素对包含二像素P(i,j)和P(i+1,j),其中若i为奇数则j为奇数,且若i为偶数则j为偶数。每一组像素对具有五个次像素,这些次像素包含配置以显示第一色彩且对称地跨越像素P(i,j)和P(i+1,j)的第一次像素、配置以显示第二色彩且分别对称地位于像素P(i,j)和P(i+1,j)中的一对第二次像素、以及配置以显示第三色彩且分别对称地位于像素P(i,j)和P(i+1,j)中的一对第三次像素。其中,第一次像素位于此对第二次像素之间。
在一实施例中,上述彩色显示装置为一AMOLED显示装置。
在一实施例中,在上述每一组像素对中,第一次像素具有沿着列的第一长度和沿着行的第一宽度,每一第二次像素具有沿着列的第二长度和沿着行的第二宽度,其中第二长度小于第一长度,且每一第三次像素具有此列的第三长度和沿着行的第三宽度。
在一实施例中,上述第三长度大于上述第二长度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





