[发明专利]存储器件、存储系统及其操作方法

说明书

本发明公开一种存储器件，其包括：单元阵列，其具有多个字线；地址计数单元，其适合于产生每当刷新该多个字线中的一个或多个时改变的计数地址；以及控制单元，其适合于：在该多个字线当中选择对应于该计数地址的字线，且在第一操作模式期间响应于刷新命令在第一周期内、在第二操作模式期间在比该第一周期长的第二周期内和在该第二操作模式开始之后的高频区段中在比该第二周期短的第三周期内刷新选中的字线。

相关申请的交叉引用

本申请主张于2013年8月9日提出申请的韩国专利申请第10-2013-0094781号的优先权，该韩国专利申请以其全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明的例示性实施例涉和一种存储器件、一种存储系统和一种用于操作存储器件的方法。

背景技术

存储器件的存储器单元由用于储存电荷(是数据)的电容器和用于开关电容器的晶体管形成。数据的逻辑电平(是高(逻辑电平1)或低(逻辑电平0))取决于电容器中电荷的累积，此意指数据的逻辑电平取决于电容器的电压。

由于数据以电容器中所累积电荷的形式储存，因此在理论上不存在功耗。然而，由于电容器中的所累积电荷被放电且所累积电荷量因由晶体管的PN结引起的电流泄露而降低，因此数据会在无电力供应的情况下丢失。为了防止数据丢失，存储器单元的电容器应在储存于电容器中的数据丢失之前反复地再充电以便保持电荷量。给存储器单元反复地再充电的此过程称为刷新操作。

响应于自存储器控制器施加的刷新命令而在存储器件中执行刷新操作。存储器控制器以和考虑存储器件的数据保持时间的预定周期将刷新命令重复地施加至存储器件。例如，当假设存储器件的数据保持时间是大致64ms时，那么存储器件中的整个存储器单元会以刷新命令的约8000次输入被刷新。亦即，存储器控制器在大致64ms内将刷新命令施加至存储器件大致8000次以执行刷新操作。

随着存储器件的集成度增大，包含于存储器件中的多个字线之间的间隙减小且邻近字线之间的耦合效应增大。出于此原因，与在刷新操作期间的邻近字线相比，当频繁地激活存储器件的特定字线时，会损坏与相邻于特定字线的多个字线耦接的存储器单元的数据。此现象称为字线干扰。

发明内容

本发明的实施例是针对一种存储器件和一种可以防止字线干扰的存储系统。

根据本发明的实施例，一种存储器件可以包括：单元阵列，其具有多个字线；地址计数单元，其适合于产生每当刷新所述多个字线中的一个或多个时改变的计数地址；以及控制单元，其适合于：在所述多个字线当中选择对应于所述计数地址的字线，且在第一操作模式期间响应于刷新命令在第一周期内、在第二操作模式期间在比所述第一周期长的第二周期内以及在所述第二操作模式开始之后的高频区段中在比所述第二周期短的第三周期内刷新所述选中的字线。

根据本发明的另一实施例，一种存储器件可以包括：单元阵列，其被配置具有多个字线；地址计数单元，其适合于产生每当刷新所述多个字线中的一个或多个时改变的计数地址；刷新控制单元，其适合于：在所述多个字线当中选择对应于所述计数地址的字线，且响应于周期性刷新命令而刷新所述选中的字线A次，其中A是等于或大于2的有理数；响应于周期性第二刷新信号而刷新所述选中的字线B次，其中B是小于A的有理数；及在高频区段中响应于所述周期性第二刷新信号而刷新所述选中的字线C次，其中C是大于B的有理数；以及第二刷新控制单元，其适合于从使能第二刷新进入命令时至使能第二刷新退出命令时使能所述周期性第二刷新信号。

根据本发明的另一实施例，一种存储系统可以包括：存储器件，所述存储器件包括具有多个字线的单元阵列、且适合于：在第一操作模式期间在第一周期内、在第二操作模式期间在比所述第一周期长的第二周期内且在所述第二操作模式开始之后的高频区段中在比所述第二周期短的第三周期内刷新所述单元阵列；以及存储器控制器，其适合于：在所述第一操作模式期间以所述设定周期将刷新命令输入至所述存储器件中、且将存储器件设定在所述第二操作模式中。