[发明专利]一种纳米级石墨片的制备方法

权利要求书

1.一种纳米级石墨片的制备方法，其特征在于该方法包括以下技术特征： 

步骤一，将催化剂放置于钼舟中； 

步骤二，将钼舟置于真空室内； 

步骤三，打开机械泵，抽出真空室内空气后通入碳源气体和保护气体，所述碳源气体和保护气体的体积比为2:5； 

步骤四，将钼舟两端连接电极，在60-90v之间调节电极电压,直接加热铜片变为熔融态铜； 

步骤五，通过循环水对真空室进行冷却，反应中持续通入循环水，反应结束后继续冷却30min；取出钼舟中的石墨片，该石墨片的厚度约为10nm。 

2.如权利要求1所述的一种纳米级石墨片的制备方法，其特征在于采用钼舟直接加热方式。 

3.如权利要求1所述的一种纳米级石墨片的制备方法，其特征在于采用铜为催化剂。 

4.如权利要求1所述的一种纳米级石墨片的制备方法，其特征在于所用碳源气体选自甲烷、乙炔和乙烯。 

5.如权利要求1所述的一种纳米级石墨片的制备方法，其特征在于所述实验中保护气体选自氩气或氢氩混合气。 

6.如权利要求1所述的一种纳米级石墨片的制备方法，其特征在于所述碳源气体百分比为10％-30％。(所述碳源气体百分比为10％-30％已经表示一个可调的范围) 。

7.如权利要求1所述的一种纳米级石墨片的制备方法，其特征在于所述钼舟温度由电压控制，且实验电压为60v-90v。 

8.如权利要求1所述的一种纳米级石墨片的制备方法，步骤四中的反应时间为120s，通过循环水对真空室进行冷却。 

9.如权利要求1所述的一种纳米级石墨片的制备方法，按照此实验路线所制备的石墨片缺陷少，石墨化程度高，Raman光谱中G峰明显强于D峰。