[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

由于近年来人们对于显示装置的透光率、分辨率、功耗等的要求越来越高，显示装置都在向着高透过率、高分辨率、低功耗等方向发展。其中，分辨率越高，使得每一个像素单元的尺寸越小，当像素单元的边长由几十微米变为十几微米时，显然，像素单元的尺寸得到了大幅度的减小，此时，若划分像素单元的黑矩阵的宽度仍然保持不变，相对于像素单元而言，黑矩阵将变得明显，将会影响显示装置的显示效果。

因此，将彩色滤光片与阵列基板集成在一起的其中一种集成技术(Color Filter on Array，简称COA)应运而生。由于此时黑矩阵位于阵列基板上，在适当减小黑矩阵的宽度时，也能保证黑矩阵能够充分遮挡栅线、数据线和薄膜晶体管单元等需遮光的结构，同时，减少漏光现象发生的可能性，在提高分辨率、透过率的同时又保证了显示装置的显示效果。

发明人发现，在将黑矩阵整合到阵列基板上之后，由于黑矩阵通常位于薄膜晶体管的漏极和像素电极之间，为了实现漏极与像素电极之间的电连接，需要在黑矩阵形成过孔，该过孔会影响黑矩阵对漏极的遮光效果，导致漏极反射来自过孔一侧的光，降低了显示装置的显示效果。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，能够防止漏极反光，保证了显示装置的显示效果。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

本发明第一方面提供了一种阵列基板，包括：

薄膜晶体管单元的漏极、绝缘层和像素电极，所述绝缘层位于所述漏极和所述像素电极之间，所述绝缘层形成有过孔，所述漏极和所述像素电极通过所述过孔连接；其中，所述过孔处的像素电极的表面为粗糙面。

所述过孔处的像素电极的表面经过等离子体处理。

所述等离子体包括氢等离子体或硅烷等离子体。

在本发明实施例的技术方案中，绝缘层过孔处的像素电极的表面处理为粗糙面，该粗糙面可以降低过孔处像素电极的透光率，减少接触到漏极的光线，同时还可降低漏极反射的光的透过率，减小漏极对外界光线的反射效果，改善显示装置的显示效果。

本发明第二方面提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本发明第三方面提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

形成薄膜晶体管单元的漏极、绝缘层和像素电极，其中，所述绝缘层位于所述漏极和所述像素电极之间，所述绝缘层形成有过孔，所述漏极和所述像素电极通过所述过孔连接；

将所述过孔处的像素电极表面处理为粗糙面。

所述将所述过孔处的像素电极表面处理为粗糙面包括：

利用等离子体处理所述过孔处的像素电极，使得所述过孔处的像素电极表面为粗糙面。

所述等离子体包括氢等离子体或硅烷等离子体。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图一；

图2为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图二；

图3为本发明实施例中的阵列基板的制备方法的流程示意图；

图4为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图三；

图5为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图四；

图6为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图五；

图7为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图六；

图8为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图七。

附图标记说明：

1—衬底基板；      2—薄膜晶体管单元； 21—漏极；

22—有源层；       23—源极；          24—栅极；

25—栅极绝缘层；   3—绝缘层；         4—像素电极；

5—过孔；          6—彩膜；           7—黑矩阵；

8—第一绝缘层；    9—第二绝缘层；     10—公共电极；

11—第三绝缘层；   12—透明导电薄膜；  13—光刻胶层。

具体实施方式